[发明专利]LED电极制作方法、LED电极和LED芯片

说明书

本发明公开了一种LED电极制作方法、LED电极和LED芯片。本发明公开的LED电极制作方法，通过电子束真空蒸发镀膜的方式蒸镀电极，其中，蒸镀电极膜层的先后顺序为Rh、Al、Ti、Pt、Ti、Pt和Au。LED电极蒸镀时，首先蒸镀Rh层，然后蒸镀Al层，形成RhAl反射电极，工艺简单，提高了电极稳定性，同时提高了反射电极反射率，能够制作高发光效率的LED芯片。

技术领域

本发明涉及LED芯片技术领域，更具体地，LED电极制作方法、LED电极和LED芯片。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种半导体固体发光器件。利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过载流子发生复合把过剩的能量以光的形式释放出来。LED具有高效、节能、环保、使用寿命长等优点，被广泛应用于显示屏、室内照明、室外照明等各个领域。

传统的LED芯片中，P电极和N电极一般采用Ni/Au结构或者Cr/Pt/Au结构，虽然这两种金属电极结构稳定性好，但是从芯片内部发出的光很大一部分会被电极吸收，影响LED芯片的发光效率。

为了提高LED芯片的发光效率，现有技术中提出了通过反射层将电极下方的电子在被电极吸收之前反射回去，从而增加发光效率的技术方案，同时通过减薄反射层厚度增加反射率来提高LED芯片的发光效率。但现有技术中反射层太薄会有掉电极风险，对LED芯片发光效率的提高有限。

因此，提供一种高反射率的LED电极制作方法、LED电极和LED芯片，是本领域亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种LED电极制作方法、LED电极和LED芯片，解决了现有技术中LED电极反射率低的技术问题。

为了解决上述技术问题，本发明提出一种LED电极制作方法。

一种LED电极制作方法，，通过电子束真空蒸发镀膜的方式蒸镀电极，其中，蒸镀电极膜层的先后顺序为Rh、Al、Ti、Pt、Ti、Pt和Au，其中，蒸镀电极膜层的步骤包括：Rh层的蒸镀厚度为镀Rh时的蒸镀速率为Al层的蒸镀厚度为镀Al时的蒸镀速率为第一层Ti的蒸镀厚度为镀第一层Ti时的蒸镀速率为第一层Pt的蒸镀厚度为镀第一层Pt时的蒸镀速率为第二层Ti的蒸镀厚度为镀第二层Ti时的蒸镀速率为第二层Pt的蒸镀厚度为镀第二层Pt时的蒸镀速率为Au层的蒸镀厚度为镀Au时的蒸镀速率为

进一步的，通过电子束真空蒸发镀膜的方式蒸镀电极的步骤中，本底真空度为3×10^-6Pa。

进一步的，在蒸镀电极之后包括制作电极保护层步骤：利用气相成膜法在电极上沉积电极保护层，然后利用刻蚀方法刻蚀电极保护层露出电极焊点，形成电极保护层。

进一步的，电极保护层的材料为无机非金属材料。

进一步的，本发明提供一种LED电极，由上述的LED电极制作方法制作而成。

进一步的，本发明提供一种LED芯片，包括上述的LED电极。

与现有技术相比，本发明的LED电极制作方法、LED电极和LED芯片，实现了如下的有益效果：

(1)LED电极蒸镀时，首先蒸镀Rh层，然后蒸镀Al层，形成RhAl反射电极，工艺简单，Rh热稳定性好不会有掉电极风险，提高了电极稳定性，同时提高了反射电极反射率，能够制作高发光效率的LED芯片。

(2)本发明提供的LED芯片LOP明显提高，经过正向电压对比测试，LED芯片产品性能稳定。

当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。