[发明专利]金属层结构及其制作方法、半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201710322574.4 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108878350B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 李广宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属层结构及其制作方法、半导体结构及其制作方法，本发明通过在一基底上形成第一阻挡层和在所述第一阻挡层上形成一导电层的步骤之间，增加对所述第一阻挡层进行等离子体处理工艺，不仅可以减少所述第一阻挡层表面的碳含量，降低金属层结构的接触电阻，而且为后续导电层的形成提供一个良好的生长界面，有利于后续导电层的晶粒均匀生长。从而，得到表面平整的金属层结构，有利于半导体结构的后续工艺，提高半导体结构的良率和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 结构 及其 制作方法 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种金属层结构的制作方法，其特征在于，包括：在一基底上形成第一阻挡层；对所述第一阻挡层进行等离子体处理工艺；在经过所述等离子体处理工艺后的第一阻挡层上形成一导电层；在所述导电层上形成第二阻挡层，得到所述金属层结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710322574.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
