[发明专利]金属层结构及其制作方法、半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种金属层结构的制作方法，其特征在于，包括：

在一基底上形成第一阻挡层；

对所述第一阻挡层进行等离子体处理工艺；

在经过所述等离子体处理工艺后的第一阻挡层上形成一导电层；

所述导电层包括第一金属层和第二金属层，形成所述第一金属层和在所述第一金属层上形成所述第二金属层的步骤之间，还包括：对所述第一金属层进行一快速原子轰击；

在所述导电层上形成第二阻挡层，得到所述金属层结构。

2.如权利要求1所述的金属层结构的制作方法，其特征在于，利用氢气或者氮气进行所述等离子体处理工艺。

3.如权利要求2所述的金属层结构的制作方法，其特征在于，所述等离子体处理工艺的时间为1分钟至15分钟之间。

4.如权利要求1所述的金属层结构的制作方法，其特征在于，在一基底上形成第一阻挡层和对所述第一阻挡层进行等离子体处理工艺的步骤之间，还包括对所述第一阻挡层进行一清洗工艺。

5.如权利要求4所述的金属层结构的制作方法，其特征在于，所述清洗工艺的时间在1分钟至20分钟之间。

6.如权利要求1所述的金属层结构的制作方法，其特征在于，所述第一阻挡层为第一氮化钛层。

7.如权利要求1所述的金属层结构的制作方法，其特征在于，所述导电层包括两层或两层以上的金属层。

8.如权利要求7所述的金属层结构的制作方法，其特征在于，在经过所述等离子体处理工艺后的第一阻挡层上形成一导电层的步骤包括：

在经过所述等离子体处理工艺后的第一阻挡层上形成第一金属层；

在所述第一金属层上形成第二金属层。

9.如权利要求8所述的金属层结构的制作方法，其特征在于，所述第一金属层和第二金属层均为铝层。

10.如权利要求1所述的金属层结构的制作方法，其特征在于，所述快速原子轰击为Ar原子轰击。

11.如权利要求10所述的金属层结构的制作方法，其特征在于，所述Ar原子轰击的时间在1秒至1分钟之间。

12.如权利要求1所述的金属层结构的制作方法，其特征在于，所述第二阻挡层为复合层。

13.如权利要求12所述的金属层结构的制作方法，其特征在于，在所述导电层上形成第二阻挡层的步骤包括：

在所述导电层上形成一氮化钽层；

在所述氮化钽层上形成第二氮化钛层。

14.如权利要求13所述的金属层结构的制作方法，其特征在于，所述氮化钽层和所述第二氮化钛层的厚度分别为100埃至1000埃之间。

15.一种采用如权利要求1至14任意一项所述的制作方法制成的金属层结构。

16.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

在所述基底之上形成一金属层结构，所述金属层结构采用如权利要求1至14任意一项所述的金属层结构的制作方法形成；

刻蚀所述金属层结构，以形成一金属互连层结构。

17.一种采用如权利要求16所述的半导体结构的制作方法形成的半导体结构。