[发明专利]氧化硅生长系统、方法及半导体测试结构的制作方法在审
| 申请号： | 201710312425.X | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN108807139A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 赵泽鑫;刘源 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种氧化硅生长系统、方法及半导体测试结构的制作方法，所述氧化硅生长系统包括：反应腔室；支撑基座，位于所述反应腔室内，适于放置待测硅片；供气管路，与所述反应腔室内部相连通，适于向所述反应腔室内通入氧气；微波发生器，位于所述反应腔室顶部，适于产生微波，以将通入所述反应腔室内的氧气极化解离成氧等离子体。本发明的氧化硅生长系统通过微波发生器产生的微波将通入所述反应腔室内的氧气极化解离成氧等离子体，由于氧等离子体具有非常高的活性，与待测硅片反应的速率非常快，可以在较短的时间内在待测硅片表面生长所需厚度的氧化硅层，大大提高了测试效率。 | ||
| 搜索关键词： | 反应腔 氧化硅生长 氧等离子体 室内 氧气 半导体测试结构 微波发生器 反应腔室 硅片 微波 测试效率 供气管路 硅片表面 氧化硅层 支撑基座 室内部 化解 制作 生长 | ||
【主权项】：
1.一种氧化硅生长系统，其特征在于，所述氧化硅生长系统包括：反应腔室；支撑基座，位于所述反应腔室内，适于放置待测硅片；供气管路，与所述反应腔室内部相连通，适于向所述反应腔室内通入氧气；微波发生器，位于所述反应腔室顶部，适于产生微波，以将通入所述反应腔室内的氧气极化解离成氧等离子体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
