[发明专利]氧化硅生长系统、方法及半导体测试结构的制作方法

权利要求书

1.一种氧化硅生长系统，其特征在于，所述氧化硅生长系统包括：

反应腔室；

支撑基座，位于所述反应腔室内，适于放置待测硅片；

供气管路，与所述反应腔室内部相连通，适于向所述反应腔室内通入氧气；

微波发生器，位于所述反应腔室顶部，适于产生微波，以将通入所述反应腔室内的氧气极化解离成氧等离子体。

2.根据权利要求1所述的氧化硅生长系统，其特征在于：所述微波发生器的频率为2GHz～3GHz；所述微波发生器的功率为100W～1000W。

3.根据权利要求1所述的氧化硅生长系统，其特征在于：所述反应腔室的本底真空度为5Pa～10Pa。

4.根据权利要求1所述的氧化硅生长系统，其特征在于：所述氧等离子体中包括O₂^-、O_-及O^2-。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的氧化硅生长系统，其特征在于：所述氧化硅生长系统还包括排气管路，所述排气管路与所述反应腔室内部相连通，适于反应后的气体排出。

6.一种氧化硅的生长方法，其特征在于，所述氧化硅的生长方法包括如下步骤：

1)提供待测硅片；

2)将所述待测硅片置于反应腔室内；

3)向所述反应腔室内通入氧气，并打开微波发生器产生微波，所述微波将所述氧气极化解离成氧等离子体，所述氧等离子与所述待测硅片反应以在所述待测硅片表面形成氧化硅。

7.根据权利要求6所述的氧化硅的生长方法，其特征在于：步骤1)与步骤2)之间还包括向所述反应腔室内通入氧气进行预吹扫的的步骤。

8.根据权利要求6中所述的氧化硅的生长方法，其特征在于：步骤2)中，所述反应腔室的本底真空度为5Pa～10Pa。

9.根据权利要求6所述的氧化硅的生长方法，其特征在于：步骤3)中，先向所述反应腔室内通入氧气，再打开所述微波发生器。

10.根据权利要求6所述的氧化硅的生长方法，其特征在于：步骤3)中，先打开所述微波发生器，再向所述反应腔室内通入氧气。

11.根据权利要求6所述的氧化硅的生长方法，其特征在于：步骤3)中，向所述反映腔室内通入氧气的同时，打开所述微波发生器。

12.根据权利要求6所述的氧化硅的生长方法，其特征在于：步骤3)中，所述氧等离子体中包括O₂^-、O_-及O^2-。

13.根据权利要求6至12中任一项所述的氧化硅的生长方法，其特征在于：步骤3)中，所述微波发生器的频率为2GHz～3GHz；所述微波发生器的功率为100W～1000W。

14.一种半导体测试结构的制作方法，所述半导体测试结构适于无损伤测量外延层的电阻率，其特征在于，所述半导体测试结构的制作方法包括采用如权利要求6至13中任一项所述的氧化硅的生长方法在待测硅片表面生长氧化硅层的步骤。