[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号： | 201710304985.0 | 申请日： | 2017-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN107093583A | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 吴旭;伍蓉;张超;黄中浩 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/28;H01L21/34;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，能显著减少金属氧化物半导体TFT阵列基板的制程步骤、缩短制程时间，有效地降低生产成本、增加产能。该制备方法包括，在基板上依次形成金属氧化物半导体层、透明导电材料层和金属层；使用一次掩膜板对金属氧化物半导体层、透明导电材料层和金属层进行构图工艺处理，以形成有源层、像素电极和源漏金属图案层；其中，源漏金属图案层包括，源极、漏极和数据线；源极与数据线靠近有源层一侧还形成有与像素电极同层设置的透明导电材料保留图案；漏极与像素电极直接接触，且露出像素电极的部分区域。用于阵列基板及包括该阵列基板的显示装置的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括，在基板上依次形成金属氧化物半导体层、透明导电材料层和金属层；使用一次掩膜板对所述金属氧化物半导体层、所述透明导电材料层和所述金属层进行构图工艺处理，以形成有源层、像素电极和源漏金属图案层；其中，所述源漏金属图案层包括，源极、漏极和数据线；所述源极与所述数据线靠近所述有源层一侧还形成有与所述像素电极同层设置的透明导电材料保留图案；所述漏极与所述像素电极直接接触，且露出所述像素电极的部分区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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