[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括，

在基板上依次形成金属氧化物半导体层、透明导电材料层和金属层；

使用一次掩膜板对所述金属氧化物半导体层、所述透明导电材料层和所述金属层进行构图工艺处理，以形成有源层、像素电极和源漏金属图案层；其中，所述源漏金属图案层包括，源极、漏极和数据线；所述源极与所述数据线靠近所述有源层一侧还形成有与所述像素电极同层设置的透明导电材料保留图案；所述漏极与所述像素电极直接接触，且露出所述像素电极的部分区域。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述掩膜板包括，完全透光部、不透光部、第一透过率曝光部和第二透过率曝光部；所述第一透过率曝光部和所述第二透过率曝光部的透过率不同，且均小于所述完全透光部；

其中，在对所述金属氧化物半导体层、所述透明导电材料层和所述金属层进行构图工艺处理中，所述第一透过率曝光部对应于待形成的所述有源层中对应于所述源漏金属图案层中所述源极与所述漏极之间的区域，所述第二透过率曝光部对应于待形成的所述像素电极被所述源漏金属图案层中的所述漏极露出的部分区域。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述使用一次掩膜板对所述金属氧化物半导体层、所述透明导电材料层和所述金属层进行构图工艺处理，以形成有源层、像素电极、源漏金属图案层，包括，

形成覆盖所述金属层的光刻胶层；

通过所述掩膜板对所述光刻胶层进行包括有曝光、显影的处理，形成光刻胶第一保留部分、光刻胶第二保留部分、光刻胶第三保留部分和光刻胶完全去除区域；其中，所述光刻胶第一保留部分、所述光刻胶第二保留部分和所述光刻胶第三保留部分的厚度依次递减；所述光刻胶第一保留部分对应于待形成的源漏金属图案层；所述光刻胶第二保留部分对应于待形成的像素电极被所述源漏金属图案层中的漏极露出的部分区域；所述光刻胶第三保留部分对应于待形成的有源层中对应于所述源漏金属图案层中源极与所述漏极之间的区域；所述光刻胶完全去除区域对应于所述金属层上的其余区域；

去除所述光刻胶完全去除区域露出的所述金属层的部分及下方的所述透明导电材料层和所述金属氧化物半导体层；

依次去除所述光刻胶第三保留部分和被所述光刻胶第三保留部分露出的所述金属层的部分及下方的所述透明导电材料层，以形成有源层、位于所述有源层上的透明导电材料保留图案、与所述透明导电材料保留图案同层设置的像素电极、源极和数据线；

依次去除所述光刻胶第二保留部分和被所述光刻胶第二保留部分露出的所述金属层的部分，以形成漏极；

去除所述光刻胶第一保留部分，以露出形成的所述源漏金属图案层、所述像素电极和所述有源层中对应于所述源极与所述漏极之间的区域。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，

针对形成的所述光刻胶层由正性光刻胶材料构成的情况，

所述第一透过率曝光部的透过率大于所述第二透过率曝光部的透过率；所述完全透光部对应于待形成的光刻胶完全去除区域、所述不透光部对应于待形成的光刻胶第一保留部分、所述第一透过率曝光部对应于待形成的光刻胶第三保留部分、所述第二透过率曝光部对应于待形成的光刻胶第二保留部分。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，

针对形成的所述光刻胶层由负性光刻胶材料构成的情况，

所述第一透过率曝光部的透过率小于所述第二透过率曝光部的透过率；所述完全透光部对应于待形成的光刻胶第一保留部分、所述不透光部对应于待形成的光刻胶完全去除区域、所述第一透过率曝光部对应于待形成的光刻胶第三保留部分、所述第二透过率曝光部对应于待形成的光刻胶第二保留部分。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括，

形成覆盖所述有源层、所述像素电极和所述源漏金属图案层的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成栅金属图案层；所述栅金属图案层包括，栅极和栅线。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括，

在所述栅绝缘层上形成对应于所述像素电极的公共电极。