[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

液晶显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到广泛的应用。液晶面板的工作原理是在两个对合的基板之间封装液晶分子，并在两个基板上施加驱动电压以控制液晶分子的旋转方向，从而将背光源的光线折射出来以进行画面显示。液晶面板中两个对合基板分别为薄膜晶体管阵列基板(通常简称为阵列基板)和彩色滤光片基板(通常简称为彩膜基板)。其中，阵列基板包括栅线、栅极、栅绝缘层、由半导体材料构成的有源层、数据线、源极、漏极、绝缘层以及像素电极等基本结构。栅极、源极、漏极和构成了薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。传统的TFT通常为非晶硅TFT(即有源层由非晶硅材料构成)和低温多晶硅TFT(即有源层由低温多晶硅材料构成)，由非晶硅TFT构成的阵列基板通常需要采用3～5次光刻掩膜板(Mask)工艺，成本较低竞争力强，而由低温多晶硅TFT构成的阵列基板通常需要采用8～9次光刻掩膜板工艺，相对成本较高。

然而非晶硅TFT的载流子迁移率均较低，难以满足大尺寸显示面板对于像素驱动响应速率的要求。因此，目前通常采用金属氧化物半导体(例如IGZO，Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)作为有源层的材料。由于其载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得超高分辨率在液晶显示装置中能够成为可能。金属氧化物半导体TFT阵列基板的制备工艺可以沿用现有的非晶硅生产线进行生产，只需稍加改动，因此在成本方面比低温多晶硅TFT阵列基板更具有竞争力。但是现有技术中，制备金属氧化物半导体TFT阵列基板通常需要采用3～5次光刻掩膜板工艺，生产效率较低，生产成本较高。

发明内容

鉴于此，为解决现有技术的问题，本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，能显著减少金属氧化物半导体TFT阵列基板的制程步骤、缩短制程时间，有效地降低生产成本、增加产能。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面、本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括，在基板上依次形成金属氧化物半导体层、透明导电材料层和金属层；使用一次掩膜板对所述金属氧化物半导体层、所述透明导电材料层和所述金属层进行构图工艺处理，以形成有源层、像素电极和源漏金属图案层；其中，所述源漏金属图案层包括，源极、漏极和数据线；所述源极与所述数据线靠近所述有源层一侧还形成有与所述像素电极同层设置的透明导电材料保留图案；所述漏极与所述像素电极直接接触，且露出所述像素电极的部分区域。

可选的，所述掩膜板包括，完全透光部、不透光部、第一透过率曝光部和第二透过率曝光部；所述第一透过率曝光部和所述第二透过率曝光部的透过率不同，且均小于所述完全透光部；其中，在对所述金属氧化物半导体层、所述透明导电材料层和所述金属层进行构图工艺处理中，所述第一透过率曝光部对应于待形成的所述有源层中对应于所述源漏金属图案层中所述源极与所述漏极之间的区域，所述第二透过率曝光部对应于待形成的所述像素电极被所述源漏金属图案层中的所述漏极露出的部分区域。