[发明专利]晶圆表面处理装置及方法在审
申请号: | 201710304837.9 | 申请日: | 2017-05-03 |
公开(公告)号: | CN108807217A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 三重野文健 | 申请(专利权)人: | 上海新昇半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 余昌昊 |
地址: | 201306 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种晶圆表面处理装置及方法,所述晶圆表面处理装置包括工作台、脉冲激光器和水箱,所述工作台用于承载晶圆,所述晶圆具有表层结构,所述脉冲激光器产生激光束,所述水箱设有开口,所述水箱中的液体从所述开口中喷出,所述激光束经过所述开口与所述液体一起投射到所述表层结构上。本发明提供的晶圆表面处理装置及方法,通过脉冲激光器产生激光束,激光束用来剥离晶圆上的表层结构,由水箱从其开口中喷出液体,通过液体冲刷带走附产物;在本发明中,由使激光束经过该开口与该开口中喷出的液体一起投射到晶圆的表层结构上,可实现在剥离表层结构的同时并冲刷带走附产物,经过晶圆表面处理可以形成可重复利用的晶圆,降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 表层结构 激光束 晶圆 开口 处理装置 晶圆表面 水箱 脉冲激光器 喷出 附产物 工作台 投射 剥离 液体冲刷 可重复 圆表面 种晶 冲刷 生产成本 承载 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆表面处理装置,其特征在于,所述晶圆表面处理装置包括:工作台,所述工作台用于承载晶圆,所述晶圆具有表层结构;脉冲激光器,所述脉冲激光器产生激光束;水箱,所述水箱设有开口,所述水箱中的液体从所述开口中喷出,所述激光束经过所述开口与所述液体一起投射到所述表层结构上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司,未经上海新昇半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710304837.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造