[发明专利]晶圆表面处理装置及方法

说明书

本发明提供一种晶圆表面处理装置及方法，所述晶圆表面处理装置包括工作台、脉冲激光器和水箱，所述工作台用于承载晶圆，所述晶圆具有表层结构，所述脉冲激光器产生激光束，所述水箱设有开口，所述水箱中的液体从所述开口中喷出，所述激光束经过所述开口与所述液体一起投射到所述表层结构上。本发明提供的晶圆表面处理装置及方法，通过脉冲激光器产生激光束，激光束用来剥离晶圆上的表层结构，由水箱从其开口中喷出液体，通过液体冲刷带走附产物；在本发明中，由使激光束经过该开口与该开口中喷出的液体一起投射到晶圆的表层结构上，可实现在剥离表层结构的同时并冲刷带走附产物，经过晶圆表面处理可以形成可重复利用的晶圆，降低了生产成本。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆表面处理装置及方法。

背景技术

近年来，随着半导体技术的发展，晶圆的特征尺寸已进入纳米时代，晶圆上形成的器件结构要求也越来越复杂，例如，逻辑器件(Logic Device)在后段工艺(BEOL)已经增加到12层结构，同时闪存(NAND)结构也已实现可高达64层的3D立体结构。在如此复杂的工艺过程中，难免会产生不良品，或者由于工业测试等其它需要形成的其它的测试晶圆，随着时间的增加，这些表面上具有表层结构的晶圆也越来载多，影响生产成本。

因此，如何重复利用具有表层结构的晶圆是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆表面处理装置及方法，解决重复利用具有表层结构的晶圆的问题。

为了解决上述问题，本发明提供一种晶圆表面处理装置，包括工作台、脉冲激光器和水箱，所述工作台用于承载晶圆，所述晶圆具有表层结构，所述脉冲激光器产生激光束，所述水箱设有开口，所述水箱中的液体从所述开口中喷出，所述激光束经过所述开口与所述液体一起投射到所述表层结构上。

可选的，在所述晶圆表面处理装置中，所述激光束与所述液体的投射方向均平行于所述晶圆的表面。

可选的，在所述晶圆表面处理装置中，所述脉冲激光器设置在所述水箱内。

可选的，在所述晶圆表面处理装置中，所述工作台包括一基座，所述基座承载所述晶圆，所述基座为可旋转和/或可升降的基座。

可选的，在所述晶圆表面处理装置中，所述基座的旋转速度为30rpm～3000rpm。

可选的，在所述晶圆表面处理装置中，所述开口的高度为20um～100um，所述开口的宽度为3cm～30cm。

可选的，在所述晶圆表面处理装置中，所述水箱内的压力为5MPa～50MPa。

可选的，在所述晶圆表面处理装置中，所述液体为去离子水。

可选的，在所述晶圆表面处理装置中，所述液体从所述开口中喷出的流速为0.5L/min～10L/min。

可选的，在所述晶圆表面处理装置中，所述脉冲激光器的功率在100W以内，所述脉冲激光器的脉冲时间为150ns～400ns。

可选的，在所述晶圆表面处理装置中，所述激光束的波长为400nm～600nm。

可选的，在所述晶圆表面处理装置中，还包括通风设备，所述通风设备使气体流通。

可选的，在所述晶圆表面处理装置中，还包括厚度测试仪器，所述厚度测试仪器用于测试所述晶圆。

本发明还提供一种晶圆表面处理方法，包括：

提供一晶圆，所述晶圆表面上具有表层结构；

通过脉冲激光器产生激光束；