[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710290101.0 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108807532B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张海强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底；在所述衬底上的鳍片；在所述鳍片上的硬掩模层；以及在所述衬底上用于隔离所述鳍片的第一隔离材料层，所述第一隔离材料层的上表面与所述硬掩模层的上表面基本齐平；对所述第一隔离材料层进行回刻，从而形成上表面高于所述硬掩模层的底表面的第二隔离材料层；在对所述第一隔离材料层进行回刻之后，执行氧化工艺或退火工艺；在执行氧化工艺或退火工艺之后，去除所述硬掩模层；对所述第二隔离材料层进行回刻，从而形成上表面低于所述鳍片的上表面的隔离区。本申请可以实现鳍片顶部的边角的圆形化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底；在所述衬底上的鳍片；在所述鳍片上的硬掩模层；以及在所述衬底上用于隔离所述鳍片的第一隔离材料层，所述第一隔离材料层的上表面与所述硬掩模层的上表面基本齐平；对所述第一隔离材料层进行回刻，从而形成上表面高于所述硬掩模层的底表面的第二隔离材料层；在对所述第一隔离材料层进行回刻之后，执行氧化工艺或退火工艺；在执行氧化工艺或退火工艺之后，去除所述硬掩模层；对所述第二隔离材料层进行回刻，从而形成上表面低于所述鳍片的上表面的隔离区。
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