[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底；在所述衬底上的鳍片；在所述鳍片上的硬掩模层；以及在所述衬底上用于隔离所述鳍片的第一隔离材料层，所述第一隔离材料层的上表面与所述硬掩模层的上表面基本齐平；

对所述第一隔离材料层进行回刻，从而形成上表面高于所述硬掩模层的底表面的第二隔离材料层；

在对所述第一隔离材料层进行回刻之后，执行氧化工艺或退火工艺；

在执行氧化工艺或退火工艺之后，去除所述硬掩模层；

对所述第二隔离材料层进行回刻，从而形成上表面低于所述鳍片的上表面的隔离区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二隔离材料层的上表面与所述硬掩模层的底表面之间的距离为3-15nm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化工艺包括干法氧化工艺、湿法氧化工艺或现场水汽生成工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火工艺的工艺条件包括：

退火气氛包括氢气或氦气；

退火温度为600-800℃；

退火压强为1torr-1atm；

退火时间为10mins-240mins。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述鳍片包括用于第一器件的第一鳍片和用于第二器件的第二鳍片。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括：

形成第一栅极结构和第二栅极结构；

其中，所述第一栅极结构包括在所述第一鳍片暴露的表面上的栅极电介质层、在所述栅极电介质层上的第一高K电介质层和在所述第一高K电介质层上的第一栅极；

所述第二栅极结构包括在所述第二鳍片暴露的表面上的界面层、在所述界面层上的第二高K电介质层和在所述第二高K电介质层上的第二栅极。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述形成第一栅极结构和第二栅极结构包括：

在所述第一鳍片暴露的表面上形成第一伪栅电介质层，并在所述第二鳍片暴露的表面上形成第二伪栅电介质层，所述第一伪栅电介质层的厚度大于所述第二伪栅电介质层的厚度；

在所述第一伪栅电介质层和所述第二伪栅电介质层上形成伪栅；

沉积层间电介质层并进行平坦化工艺，以露出所述伪栅；

去除所述伪栅；

去除所述第二伪栅电介质层；

在所述第二鳍片暴露的表面上形成界面层；

在所述界面层和所述第一伪栅电介质层上形成高K电介质层，其中，所述第一伪栅电介质层作为所述栅极电介质层，所述第一伪栅电介质层上的高K电介质层作为所述第一高K电介质层，所述界面层上的高K电介质层作为所述第二高K电介质层；

在所述第一高K电介质层上形成所述第一栅极，在所述第二高K电介质层上形成所述第二栅极。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一器件包括输入/输出器件，所述第二器件包括内核器件。