[发明专利]磁性纳米线器件、其制作方法与磁性纳米线的构筑方法有效
申请号: | 201710264857.8 | 申请日: | 2017-04-20 |
公开(公告)号: | CN107123732B | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 龙世兵;李磊磊;滕蛟;刘琦;吕杭炳;刘明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12;B82Y40/00;B82Y10/00;B82Y25/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 韩建伟;谢湘宁 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请提供了一种磁性纳米线器件、其制作方法与磁性纳米线的构筑方法。该磁性纳米线器件包括依次叠置设置的衬底、第一电极层、绝缘层、原子阻挡层和第二电极层,其中,第一电极层与第二电极层中的一个电极层为铁磁电极层,另一个电极层为非磁性电极层,磁性纳米线器件还包括设置在铁磁电极层与绝缘层之间的原子阻挡层,原子阻挡层包括纳米通孔。本申请的磁性纳米线器件可以有效精确地控制磁性纳米线的宽度以及位置,实现了纳米线的限域与稳定。该磁性纳米线器件实现了磁电耦合效应,为研究新型多级存储器件提供了载体。 | ||
搜索关键词: | 磁性 纳米 器件 制作方法 构筑 方法 | ||
【主权项】:
1.一种磁性纳米线器件,其特征在于,所述磁性纳米线器件包括依次叠置设置的衬底(1)、第一电极层(3)、绝缘层(4)和第二电极层(6),其中,所述第一电极层(3)与所述第二电极层(6)中的一个电极层为铁磁电极层,另一个电极层为非磁性电极层,所述磁性纳米线器件还包括设置在所述铁磁电极层与所述绝缘层(4)之间的原子阻挡层(5),所述原子阻挡层(5)包括纳米通孔(50)。
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