[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201710253829.6 | 申请日： | 2017-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN108735725B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 董燕;张冠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法和电子装置。所述半导体器件包括：第一晶圆，在所述第一晶圆中形成有接合凹槽，在所述接合凹槽的表面形成有接合材料层；第二晶圆，在所述第二晶圆上形成有金属柱，其中所述金属柱嵌入并填充所述接合凹槽。通过设置嵌入式的铆柱类型的金属柱可以防止第二晶圆碎裂，并且在经过高温工艺和长时间的压力之后也不会使电路断开，从而使器件的性能和良率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：第一晶圆，在所述第一晶圆中形成有接合凹槽，在所述接合凹槽的表面形成有接合材料层；第二晶圆，在所述第二晶圆上形成有金属柱，其中所述金属柱嵌入并填充所述接合凹槽。
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