[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201710253829.6 | 申请日： | 2017-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN108735725B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 董燕;张冠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供第一晶圆，在所述第一晶圆中形成有接合凹槽，在所述接合凹槽的表面形成有接合材料层；
提供第二晶圆，在所述第二晶圆上形成有金属柱，将所述金属柱嵌入并填充所述接合凹槽，以使所述第一晶圆和所述第二晶圆相接合；
其中，形成所述接合凹槽的步骤包括：
提供第一晶圆，在所述第一晶圆上形成有第一金属层；
图案化所述第一金属层和所述第一晶圆，以形成若干接合凹槽；
在所述第一金属层上和所述接合凹槽的表面形成所述接合材料层；
在所述接合凹槽中形成T形的牺牲材料层；
以所述牺牲材料层为掩膜去除所述第一晶圆表面的所述接合材料层和所述第一金属层；
去除所述牺牲材料层，以形成所述接合凹槽。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使所述第一晶圆和所述第二晶圆相接合的方法包括：
将所述金属柱嵌入所述接合凹槽中；
执行回流步骤，以使所述金属柱熔融并完全填充所述接合凹槽。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述金属柱的表面还形成有覆盖所述接合材料层的焊接材料层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一晶圆和所述第二晶圆之间设置有填充材料，以填充所述第一晶圆和所述第二晶圆之间的间隙。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述接合凹槽之后，所述方法还包括：
形成保护层，以覆盖所述第一晶圆；
图案化所述保护层，以形成开口并露出所述接合凹槽。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述T形的牺牲材料层的方法包括：
形成覆盖所述接合材料层的覆盖层；
图案化所述覆盖层，以形成开口尺寸大于所述接合凹槽的开口图案；
选用牺牲层填充所述接合凹槽和所述开口图案。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属柱包括铜柱。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一晶圆为支撑晶圆，所述第二晶圆为器件晶圆。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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