[发明专利]半导体基板及其加工方法有效
| 申请号： | 201710251831.X | 申请日： | 2017-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN107623028B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 范俊一;庄志远;施英汝;徐文庆 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/34;H01L21/304;H01L21/265;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体基板及其加工方法，半导体基板包含一磊晶区、一边缘区与一损伤层。磊晶区位于半导体基板的主平面中央，边缘区围绕磊晶区，且损伤层分布于边缘区内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体基板，其特征在于，包含：磊晶区，位于所述半导体基板的主平面中央；边缘区，围绕所述磊晶区；及损伤层，分布于所述边缘区内。
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