[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710243708.3 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN107068769B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 张青竹;殷华湘;闫江;吴振华;周章渝;秦长亮;张严波;张永奎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件包括衬底、背栅、栅介质层、二维半导体材料层与两个电极，背栅设置在衬底的部分表面上；栅介质层设置在背栅的裸露表面上；二维半导体材料层设置在栅介质层的远离背栅的表面上；两个电极设置在二维半导体材料层的远离栅介质层表面上，且分别设置在背栅两侧。该半导体器件在衬底的表面上设置有背栅，在背栅施加不同的偏压，通过栅介质层的电场，感应不同载流子(电子和空穴等)，使得二维半导体材料能带弯曲。在源漏区施加合适大小的偏压，使得导电沟道导通或夹断，进而实现器件的开与关，进而实现背栅独立控制该器件的开关，满足了大规模集成电路设计的基本需求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：衬底(1)；背栅(3)，设置在所述衬底(1)的部分表面上；栅介质层(4)，设置在所述背栅(3)的裸露表面上；二维半导体材料层(5)，设置在所述栅介质层(4)的远离所述背栅(3)的表面上；以及两个电极(6)，设置在所述二维半导体材料层(5)的远离所述栅介质层(4)表面上，且所述背栅(3)的两侧分别设置有一个所述电极(6)。
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