[发明专利]用于HFET器件的保护绝缘体有效
| 申请号： | 201710232410.2 | 申请日： | 2017-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN107424962B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 阿列克谢·库迪莫夫;L·刘;王晓辉;贾马尔·拉姆达尼 | 申请（专利权）人： | 电力集成公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L29/778;H01L21/56;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 杨勇;董江虹 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种高压场效应晶体管(HFET)，包括第一半导体材料、第二半导体材料和异质结。所述异质结布置在所述第一半导体材料和所述第二半导体材料之间。HFET还包括多个复合钝化层，其中第一复合钝化层包括第一绝缘层和第一钝化层，并且第二复合钝化层包括第二绝缘层和第二钝化层。栅极电介质布置在所述第一钝化层和所述第二半导体材料之间。栅极电极布置在所述栅极电介质和所述第一钝化层之间。第一栅极场板布置在所述第一钝化层和所述第二钝化层之间。源极电极和漏极电极与所述第二半导体材料耦接，并且所述源极场板与所述源极电极耦接。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 hfet 器件 保护 绝缘体 | ||
【主权项】：
一种高压场效应晶体管(HFET)，包括：第一半导体材料、第二半导体材料和异质结，其中所述异质结布置在所述第一半导体材料和所述第二半导体材料之间；多个复合钝化层，其中多个所述复合钝化层中的第一复合钝化层包括第一绝缘层和第一钝化层，其中多个所述复合钝化层中的第二复合钝化层包括第二绝缘层和第二钝化层，并且其中所述第二钝化层布置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间；栅极电介质，所述栅极电介质布置在所述第一钝化层和所述第二半导体材料之间；栅极电极，所述栅极电极布置在所述栅极电介质和所述第一钝化层之间；第一栅极场板，所述第一栅极场板布置在所述第一钝化层和所述第二钝化层之间；源极电极和漏极电极，其中所述源极电极和漏极电极与所述第二半导体材料耦接；以及源极场板，其中所述源极场板与所述源极电极耦接。
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