[发明专利]半导体装置及其形成方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其形成方法。该半导体装置为鳍场效应晶体管，包括在基板上的多个鳍结构以及在多个鳍结构的沟道部分上的共享栅极结构。该鳍场效应晶体管还包括外延半导体材料，其具有在多个鳍结构中的相邻鳍结构之间的第一部分和存在于该多个鳍结构的端部鳍结构的最外侧壁上的第二部分。外延半导体材料对多个鳍结构的每个鳍结构提供源极区域和漏极区域。氮化物包含间隔体设置在外延半导体材料的第二部分的最外侧壁上。

主权项

1.一种半导体装置，包括：在基板上的多个鳍结构；在该多个鳍结构中的每个鳍结构的沟道部分上的栅极结构；外延半导体材料，存在于该多个鳍结构中的相邻鳍结构之间，其中该外延半导体材料至少提供部分的源极区域和/或漏极区域至该多个鳍结构的每个鳍结构；以及氮化物包含间隔体，与该多个鳍结构的端部鳍结构的每个最外侧壁直接接触。