[发明专利]碳化硅外延

摘要

一种方法，所述方法包括提供单晶体硅晶片(11)，该单晶体硅晶片具有主表面(17)，该主表面支撑掩蔽层(24)，例如，二氧化硅或多晶硅，该掩蔽层具有窗口(25)，该窗口用来暴露硅晶片的对应区域，在晶片的暴露区域上形成碳化硅种子区域(30)，例如通过形成碳并且将该碳转化为碳化硅，和在所述碳化硅种子区域上生长单晶体碳化硅(31)。因此，单晶体碳化硅能够选择性地形成在硅晶片上，这可以有助于避免晶片翘曲。

主权项

一种绝缘栅双极晶体管，所述绝缘栅双极晶体管包括：第一导电型的半导体基底；所述第一导电型的第一半导体区域设置于所述半导体基底上；第二导电型的半导体漂移区域设置于所述第一半导体区域上，该第二导电型与所述第一导电型相对；所述第一导电型的本体区域处于所述半导体漂移区域内；所述第二导电型的源区域处于所述本体区域内；栅，该栅位于所述源区域的上面且与所述源区域接触，所述栅用于控制所述半导体漂移区域和所述源区域之间的通道区域中的电荷，并且从而控制所述半导体漂移区域内的电荷流；其中，所述半导体基底包括包含硅的材料，并且所述第一半导体区域、所述半导体漂移区域、所述本体区域和所述源区域分别包括包含三阶立方碳化硅的材料。