[发明专利]碳化硅外延

权利要求书

1.一种绝缘栅双极晶体管，所述绝缘栅双极晶体管包括：

第一导电型的半导体基底；

所述第一导电型的第一半导体区域设置于所述半导体基底上；

第二导电型的半导体漂移区域设置于所述第一半导体区域上，该第二导电型与所述第一导电型相对；

所述第一导电型的本体区域处于所述半导体漂移区域内；

所述第二导电型的源区域处于所述本体区域内；

栅，该栅位于所述源区域的上面且与所述源区域接触，所述栅用于控制所述半导体漂移区域和所述源区域之间的通道区域中的电荷，并且从而控制所述半导体漂移区域内的电荷流；

其中，所述半导体基底包括包含硅的材料，并且所述第一半导体区域、所述半导体漂移区域、所述本体区域和所述源区域分别包括包含三阶立方碳化硅的材料。

2.根据权利要求1的所述绝缘栅双极晶体管，其中，所述半导体基底包含单晶硅材料。

3.根据权利要求1或2所述的绝缘栅双极晶体管，其中，所述栅被配置为在所述源区域和所述半导体漂移区域之间形成n型通道，电子能够通过该n型通道被注入所述半导体漂移区域。

4.根据权利要求3所述的绝缘栅双极晶体管，其中，所述n型通道包括包含三阶立方碳化硅的材料。