[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。本发明的TFT基板的制作方法，先蚀刻栅极绝缘层形成两第一过孔，并在两第一过孔内形成与两跨接金属块，再蚀刻层间介电层形成分别与两第一过孔连通的两第二过孔，源极和漏极分别通过两第二过孔与两跨接金属块接触，通过将传统的一次蚀刻工艺制作出栅极绝缘层与层间介电层的过孔结构改进为两次蚀刻工艺，能够提升有源层的均一性，降低制程难度，避免因蚀刻厚度较厚而造成的蚀刻停止的问题，提升产品品质。

主权项

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上从下到上依次制作缓冲层(20)与有源层(30)；对所述有源层(30)两端进行离子掺杂，形成两离子重掺杂区(31)；在所述有源层(30)与缓冲层(20)上形成栅极绝缘层(40)；步骤2、在所述栅极绝缘层(40)上形成光阻层(50)，采用半色调光罩对所述光阻层(50)进行曝光、显影，在所述光阻层(50)中形成第一凹槽(51)和两第一通孔(52)；所述第一凹槽(51)位于所述两离子重掺杂区(31)之间待形成的沟道区的上方，所述两第一通孔(52)分别位于所述两离子重掺杂区(31)的上方；步骤3、以剩余的光阻层(50)为遮挡，对所述栅极绝缘层(40)进行蚀刻，在所述栅极绝缘层(40)分别对应于所述两第一通孔(52)下方的区域形成两第一过孔(41)；步骤4、对所述光阻层(50)进行整体薄化处理，使得所述第一凹槽(51)转化为第二通孔(53)；以剩余的光阻层(50)为遮挡，对所述有源层(30)进行离子掺杂，在有源层(30)对应位于所述第二通孔(53)下方的区域形成沟道区(32)；步骤5、剥离剩余的光阻层(50)，在所述栅极绝缘层(40)上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图形化处理，得到对应于所述沟道区(32)上方的栅极(60)、以及分别位于两第一过孔(41)内的两跨接金属块(61)；步骤6、以所述栅极(60)为遮挡对有源层(30)进行离子掺杂，得到分别位于沟道区(32)与两离子重掺杂区(31)之间的两离子轻掺杂区(34)；步骤7、在所述栅极绝缘层(40)上形成层间介电层(70)，对所述层间介电层(70)进行蚀刻，在所述层间介电层(70)上形成分别位于所述两跨接金属块(61)上方的两第二过孔(71)；步骤8、在所述层间介电层(70)上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行图形化处理，得到间隔分布于所述层间介电层(70)上并分别通过两第二过孔(71)与两跨接金属块(61)接触的源极(81)与漏极(82)；步骤9、在所述层间介电层(70)上从下到上依次制作平坦层(90)、公共电极(101)、钝化层(110)及像素电极(102)。