[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板

权利要求书

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上从下到上依次制作缓冲层(20)与有源层(30)；对所述有源层(30)两端进行离子掺杂，形成两离子重掺杂区(31)；在所述有源层(30)与缓冲层(20)上形成栅极绝缘层(40)；

步骤2、在所述栅极绝缘层(40)上形成光阻层(50)，采用半色调光罩对所述光阻层(50)进行曝光、显影，在所述光阻层(50)中形成第一凹槽(51)和两第一通孔(52)；所述第一凹槽(51)位于所述两离子重掺杂区(31)之间待形成的沟道区的上方，所述两第一通孔(52)分别位于所述两离子重掺杂区(31)的上方；

步骤3、以剩余的光阻层(50)为遮挡，对所述栅极绝缘层(40)进行蚀刻，在所述栅极绝缘层(40)分别对应于所述两第一通孔(52)下方的区域形成两第一过孔(41)；

步骤4、对所述光阻层(50)进行整体薄化处理，使得所述第一凹槽(51)转化为第二通孔(53)；

以剩余的光阻层(50)为遮挡，对所述有源层(30)进行离子掺杂，在有源层(30)对应位于所述第二通孔(53)下方的区域形成沟道区(32)；

步骤5、剥离剩余的光阻层(50)，在所述栅极绝缘层(40)上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图形化处理，得到对应于所述沟道区(32)上方的栅极(60)、以及分别位于两第一过孔(41)内的两跨接金属块(61)；

步骤6、以所述栅极(60)为遮挡对有源层(30)进行离子掺杂，得到分别位于沟道区(32)与两离子重掺杂区(31)之间的两离子轻掺杂区(34)；

步骤7、在所述栅极绝缘层(40)上形成层间介电层(70)，对所述层间介电层(70)进行蚀刻，在所述层间介电层(70)上形成分别位于所述两跨接金属块(61)上方的两第二过孔(71)；

步骤8、在所述层间介电层(70)上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行图形化处理，得到间隔分布于所述层间介电层(70)上并分别通过两第二过孔(71)与两跨接金属块(61)接触的源极(81)与漏极(82)；

步骤9、在所述层间介电层(70)上从下到上依次制作平坦层(90)、公共电极(101)、钝化层(110)及像素电极(102)。

2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3中对所述栅极绝缘层(40)和所述步骤7中对所述层间介电层(70)进行蚀刻的方法均为干蚀刻。

3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤4中，采用光阻灰化的方法对所述光阻层(50)进行整体薄化处理。

4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述像素电极(102)通过贯穿所述平坦层(90)和钝化层(110)中的第三过孔(111)与所述漏极(82)接触。

5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述衬底基板(10)为玻璃基板；所述缓冲层(20)、栅极绝缘层(40)、层间介电层(70)、钝化层(110)的材料为氮化硅和氧化硅中的一种或多种的组合；所述有源层(30)的材料为多晶硅；所述栅极(60)与跨接金属块(61)的材料包括钼、铝、铜、钛、钨、及以上金属的合金中的至少一种；所述平坦层(90)的材料为透明有机绝缘材料；所述公共电极(101)与像素电极(102)的材料均为氧化铟锡。