[发明专利]厚度可控在曲面生长二氧化硅薄膜材料的方法在审
| 申请号: | 201710212539.7 | 申请日: | 2017-04-01 |
| 公开(公告)号: | CN107117622A | 公开(公告)日: | 2017-09-01 |
| 发明(设计)人: | 阳晓宇;安亚楠;刘欢;周宇;凌旸;白航;金成静;高晨 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
| 主分类号: | C01B33/113 | 分类号: | C01B33/113;C01B33/145;C01B33/149 |
| 代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人: | 刘洋 |
| 地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种厚度可控在曲面生长二氧化硅薄膜材料的方法。对设计曲面载体表面进行表面预处理,以乙醇作溶剂和稀释剂,硅源在酸性条件下水解形成均匀透明的溶胶;加入P123的乙醇溶液增加溶胶的黏性;将所得溶胶用醇类稀释,将设计曲面载体浸泡、提拉、晾干,得到设计厚度的二氧化硅薄膜材料;通过溶胶与醇类的不同质量配比,可实现对金属丝表面包覆二氧化硅薄膜的控制,薄膜厚度约为200nm‑12μm。本发明打破了二氧化硅薄膜在平面载体上成膜生长的局限性,可在曲面基底的均匀包覆,同时操作简单,不需要特殊的加工设备和特定的反应条件,实施起来十分方便。 | ||
| 搜索关键词: | 厚度 可控 曲面 生长 二氧化硅 薄膜 材料 方法 | ||
【主权项】:
二氧化硅薄膜材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)对设计曲面载体表面进行预处理,依次用去离子水、乙醇、丙酮、去离子水超声清洗;2)取容器A依次加入乙醇、HCl和硅源,室温下封口搅拌,使硅源水解;另取容器B将聚环氧乙烷‑聚环氧丙烷‑聚环氧乙烷三嵌段共聚物(P123)完全溶解于乙醇;3)将容器A和B中液体混合均匀,室温下敞口搅拌,使乙醇挥发,形成均匀透明的溶胶;4)将步骤3所得溶胶用醇类稀释,将设计曲面载体浸泡于稀释后的溶胶中,1‑3min后缓慢提拉出金属丝,晾干;再次浸泡,反复若干次,得到设计厚度的二氧化硅薄膜材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学,未经武汉理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710212539.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。





