[发明专利]厚度可控在曲面生长二氧化硅薄膜材料的方法

权利要求书

1.二氧化硅薄膜材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)对设计曲面载体表面进行预处理，依次用去离子水、乙醇、丙酮、去离子水超声清洗；

2)取容器A依次加入乙醇、HCl和硅源，室温下封口搅拌，使硅源水解；另取容器B将聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷三嵌段共聚物(P123)完全溶解于乙醇；

3)将容器A和B中液体混合均匀，室温下敞口搅拌，使乙醇挥发，形成均匀透明的溶胶；

4)将步骤3所得溶胶用醇类稀释，将设计曲面载体浸泡于稀释后的溶胶中，1-3min后缓慢提拉出金属丝，晾干；再次浸泡，反复若干次，得到设计厚度的二氧化硅薄膜材料。

2.如权利要求1所述二氧化硅薄膜材料的制备方法，其特征在于容器A中乙醇、HCl和硅源的质量比为(1.5～3.5):(0.2～0.6):1。

3.如权利要求1所述二氧化硅薄膜材料的制备方法，其特征在于容器B中乙醇和聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷三嵌段共聚物的质量比为(2.5～7):1。

4.如权利要求1所述二氧化硅薄膜材料的制备方法，其特征在于步骤4中溶胶/醇类质量比为1:0、1:0.25、1:0.5、1:0.75、1:1、1:1.25、1:1.5、1:1.75、1:2、1:2.5或1:3。

5.如权利要求1所述二氧化硅薄膜材料的制备方法，其特征在于所述设计曲面载体是根据所述二氧化硅薄膜材料的形状要求设计的载体；所述设计曲面载体的材质包括高分子材料和金属材料。

6.如权利要求1所述二氧化硅薄膜材料的制备方法，其特征在于所述硅源为正硅酸四甲酯、正硅酸四乙酯或正硅酸四丙酯。

7.如权利要求1所述二氧化硅薄膜材料的制备方法，其特征在于所述步骤4所述醇类为甲醇或乙醇。

8.如权利要求1所述二氧化硅薄膜材料的制备方法，其特征在于还包括将所得二氧化硅薄膜材料高温灼烧后得到多孔的二氧化硅薄膜。

9.如权利要求1所述二氧化硅薄膜材料的制备方法，其特征在于步骤4通过对醇类对溶胶稀释浓度以及浸泡时间的控制实线二氧化硅薄膜材料厚度控制。

10.如权利要求5所述二氧化硅薄膜材料的制备方法，其特征在于所述设计曲面载体为金属丝。