[发明专利]改善III族氮化物MIS-HEMT欧姆接触的方法及MIS-HEMT器件

摘要

本发明公开了一种改善III族氮化物MIS‑HEMT欧姆接触的方法及MIS‑HEMT器件。所述方法包括：提供主要由第二半导体和第三半导体组成的异质结构，所述第三半导体分布于第二半导体上，且所述异质结构中形成有二维电子气；在所述第三半导体上覆设介质层，并对所述介质层进行加工以暴露与所述异质结构的源、漏区域对应的所述第三半导体；对所述被暴露部分的第三半导进行减薄处理，以至少能够平衡二维电子气处电阻与势垒层电阻；对所述被暴露部分的第三半导体的表面进行处理，以增加被暴露部分的第三半导体的表面粗糙度；在所述被暴露部分的第三半导体上制作与所述异质结构连接的源极和漏极，在介质层上制作与所述异质结构连接的栅极，所述栅极分布于源极与漏极之间。

主权项

1.一种改善III族氮化物MIS‑HEMT欧姆接触的方法，其特征在于包括：提供主要由第二半导体和第三半导体组成的异质结构，所述第三半导体分布于第二半导体上，并具有宽于第二半导体的带隙，且所述异质结构中形成有二维电子气；在所述第三半导体上覆设介质层，并对所述介质层进行加工以暴露与所述异质结构的源、漏区域对应的所述第三半导体；对所述被暴露部分的第三半导进行减薄处理，以至少能够平衡二维电子气处电阻与势垒层电阻；对所述被暴露部分的第三半导体的表面进行处理，以增加被暴露部分的第三半导体的表面粗糙度；在所述被暴露部分的第三半导体上制作与所述异质结构连接的源极和漏极，以及在所述介质层上制作与所述异质结构连接的栅极；所述源极和漏极能够通过所述二维电子气电连接，所述栅极分布于源极与漏极之间。