[发明专利]一种阵列基板的制作方法

摘要

本发明提供一种阵列基板的制作方法，其包括：在衬底基板上依次形成第一金属层、栅极层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层，及在第二金属层上形成源极层与漏极层；其中，在第一金属层上形成栅极层，包括：在第一金属层上沉积栅极金属层；在栅极金属层上涂布光阻层，对栅极金属层进行曝光显影，并对栅极金属层进行湿蚀刻；使用第一剥离液去除栅极金属层上的光阻层，以形成栅极层；其中，第一剥离液中添加有化学腐蚀电位小于或等于第一金属层的化学腐蚀电位的第一金属阳离子。本发明解决了现有技术中，在使用剥离液对光阻进行剥夺的时候，会在栅极层和第一金属层接触的边缘发生掏空现象，形成裂缝，进而导致源极层、漏极层与栅极层短路的问题。

主权项

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，其包括：在衬底基板上依次形成第一金属层、栅极层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层，及在所述第二金属层上形成源极层与漏极层；其中，在所述第一金属层上形成所述栅极层，包括：在所述第一金属层上沉积制作所述栅极层的栅极金属层；在所述栅极金属层上涂布光阻层，对所述栅极金属层进行曝光显影，并对所述栅极金属层进行湿蚀刻，直至露 出所述第一金属层为止；使用第一剥离液去除所述栅极金属层上的所述光阻层，以形成所述栅极层；其中，所述第一剥离液中添加有化学腐蚀电位小于或等于所述第一金属层的化学腐蚀电位的第一金属阳离子；在所述第二金属层上形成所述源极层与所述漏极层，包括：在所述第二金属层上沉积制作所述源极层与所述漏极层的源漏极金属层；在所述源漏极金属层上涂布光阻层，对所述源漏极金属层进行曝光显影，并对所述源漏极金属层进行湿蚀刻，直至露 出所述第二金属层为止；使用第二剥离液去除所述源漏极金属层上的所述光阻层，以形成所述源极层与漏极层；其中，所述第二剥离液中添加有化学腐蚀电位小于或等于所述第二金属层的化学腐蚀电位的第二金属阳离子；所述第一剥离液与所述第二剥离液由剥离设备提供，该剥离设备设有化学腐蚀电位小于或等于所述第一金属层和所述第二金属层的化学腐蚀电位的金属网格，所述金属网格用于通过所述第一金属阳离子或所述第二金属阳离子。