[发明专利]一种阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，其包括：

在衬底基板上依次形成第一金属层、栅极层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层，及在所述第二金属层上形成源极层与漏极层；

其中，在所述第一金属层上形成所述栅极层，包括：

在所述第一金属层上沉积制作所述栅极层的栅极金属层；

在所述栅极金属层上涂布光阻层，对所述栅极金属层进行曝光显影，并对所述栅极金属层进行湿蚀刻，直至露 出所述第一金属层为止；

使用第一剥离液去除所述栅极金属层上的所述光阻层，以形成所述栅极层；

其中，所述第一剥离液中添加有化学腐蚀电位小于或等于所述第一金属层的化学腐蚀电位的第一金属阳离子；

在所述第二金属层上形成所述源极层与所述漏极层，包括：

在所述第二金属层上沉积制作所述源极层与所述漏极层的源漏极金属层；

在所述源漏极金属层上涂布光阻层，对所述源漏极金属层进行曝光显影，并对所述源漏极金属层进行湿蚀刻，直至露 出所述第二金属层为止；

使用第二剥离液去除所述源漏极金属层上的所述光阻层，以形成所述源极层与漏极层；

其中，所述第二剥离液中添加有化学腐蚀电位小于或等于所述第二金属层的化学腐蚀电位的第二金属阳离子；

所述第一剥离液与所述第二剥离液由剥离设备提供，该剥离设备设有化学腐蚀电位小于或等于所述第一金属层和所述第二金属层的化学腐蚀电位的金属网格，所述金属网格用于通过所述第一金属阳离子或所述第二金属阳离子。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述源极层与所述漏极层后，还包括：

在所述源极层与所述漏极层上形成平坦层；

在所述漏极层上方对应的所述平坦层上形成过孔，所述过孔与所述漏极层相通；

在所述平坦层上形成像素电极层，所述像素电极层通过所述过孔与所述漏极层连接。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述栅极层的化学腐蚀电位高于所述第一金属层的化学腐蚀电位，且所述源极层与所述漏极层的化学腐蚀电位高于所述第二金属层的化学腐蚀电位。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度小于所述栅极层的厚度，且所述第二金属层的厚度小于所述源极层与所述漏极层的厚度。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层的厚度小于所述栅极层的厚度，且所述栅极绝缘层的厚度为所述栅极层的厚度的三分之一。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一金属层与所述第二金属层的制作材料均为钼金属材料，或均为化学腐蚀电位低于钼金属的化学腐蚀电位的金属材料。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一金属阳离子与所述第二金属阳离子均为钼金属阳离子。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述栅极层、所述源极层与所述漏极层的制作材料为铜金属材料。