[发明专利]一种阵列基板的制作方法

说明书

本发明提供一种阵列基板的制作方法，其包括：在衬底基板上依次形成第一金属层、栅极层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层，及在第二金属层上形成源极层与漏极层；其中，在第一金属层上形成栅极层，包括：在第一金属层上沉积栅极金属层；在栅极金属层上涂布光阻层，对栅极金属层进行曝光显影，并对栅极金属层进行湿蚀刻；使用第一剥离液去除栅极金属层上的光阻层，以形成栅极层；其中，第一剥离液中添加有化学腐蚀电位小于或等于第一金属层的化学腐蚀电位的第一金属阳离子。本发明解决了现有技术中，在使用剥离液对光阻进行剥夺的时候，会在栅极层和第一金属层接触的边缘发生掏空现象，形成裂缝，进而导致源极层、漏极层与栅极层短路的问题。

【技术领域】

本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种阵列基板的制作方法。

【背景技术】

液晶显示装置(LCD,Liquid Crystal Display)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。通常液晶显示面板包括CF(Color Filter)基板、TFT(Thin FilmTransistor)阵列基板、及设于CF基板与TFT阵列基板之间的液晶(Liquid Crystal)。通过给TFT阵列基板供电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线投射到CF基板产生画面。TFT阵列基板的性能特征和运行特性部分很大程度上取决于形成TFT阵列基板各元件的材料。在TFT阵列基板上布有金属导线，TFT阵列基板中的金属导线是将物理气相沉积在TFT阵列基板上的金属层通过蚀刻工艺制成，该蚀刻工艺可分为干式蚀刻和湿式蚀刻。

常规应用于TFT阵列基板中的金属导线为铝导线。随着电视等液晶显示终端的大尺寸化、高解析度以及驱动频率高速化的发展趋势及要求，液晶显示领域技术人员不得不面对TFT阵列基板中电阻及所造成的电阻/电容时间延迟问题。而铝导线具有较高的电阻率使得TFT阵列基板的像素电极层不能够充分充电，随着高频寻址(大于120Hz)液晶显示的广泛应用，这一现象更加明显。铜导线相对于铝导线具有较低的电阻率及良好的抗电迁移能力，因而被应用到TFT阵列基板上来解决上述铝导线产生的问题。

铜与玻璃具有差的粘附性，需要用下层金属层进行过渡，并且铜在200℃以下通过互扩散易与硅反应生成具有硅化铜(CuSi3)化合物，即铜会和TFT的半导体层产生反应，产生很高的接触电阻，因此也需要采用其它下层金属层进行过渡。目前较为常用的是采用难熔金属作为过渡的粘结层和阻挡层，例如钼(Mo)，钛(Ti)以及相应元素的合金等。但是不同的阻挡层金属及合金在蚀刻后形成的外型不同，在对光阻进行剥夺的时候，会在铜和钼接触的边缘发生掏空现象，形成裂缝。此种掏空的现象会导致源、漏电极与栅电极的短路，显著的影响显示终端的良率。

图4为现有技术的一种阵列基板的制作方法中，栅极绝缘层15覆盖在栅极层13和第一金属层12上的整体结构的剖面示意图，从图4中可以看到，现有技术的衬底基板11上的栅极层13和第一金属层12的接触边缘存在裂缝14。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种阵列基板的制作方法，以解决现有技术中，在使用剥离液对光阻进行剥夺的时候，会在栅极层和第一金属层接触的边缘发生掏空现象，形成裂缝，进而导致源极层、漏极层与栅极层短路的问题。

本发明的技术方案如下：

一种阵列基板的制作方法，其包括：

在衬底基板上依次形成第一金属层、栅极层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层，及在所述第二金属层上形成源极层与漏极层；

其中，在所述第一金属层上形成所述栅极层，包括：

在所述第一金属层上沉积制作所述栅极层的栅极金属层；

在所述栅极金属层上涂布光阻层，对所述栅极金属层进行曝光显影，并对所述栅极金属层进行湿蚀刻，直至漏出所述第一金属层为止；

使用第一剥离液去除所述栅极金属层上的所述光阻层，以形成所述栅极层；