[发明专利]阵列基板和阵列基板的制作方法有效

专利信息
申请号: 201710191525.1 申请日: 2017-03-28
公开(公告)号: CN107068691B 公开(公告)日: 2020-10-23
发明(设计)人: 莫英华;曹兆铿 申请(专利权)人: 上海天马微电子有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 代理人: 于淼
地址: 201201 上海*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请公开了一种阵列基板和阵列基板的制作方法。阵列基板包括设置在衬底基板上的栅极、像素电极、栅绝缘层、钝化层和公共电极;栅极包括第一透明电极和第一金属电极,像素电极包括第三透明电极,第一金属电极位于第一透明电极远离衬底基板的一侧,第一透明电极和第三透明电极位于同一层,栅绝缘层覆盖栅极,栅极与像素电极彼此绝缘;钝化层覆盖像素电极,公共电极位于钝化层远离衬底基板的一侧,公共电极和像素电极在彼此交叠的区域与栅绝缘层不相交叠;漏极与像素电极电连接。按照本申请的方案,通过设置公共电极和像素电极在交叠的区域与栅绝缘层不交叠,从而减少了两电极之间的绝缘层数量,增强了两电极之间的横向电场强度。
搜索关键词: 阵列 制作方法
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括设置在衬底基板上的栅极、像素电极、栅绝缘层、半导体层、源极、漏极、钝化层、公共电极和连接电极;其中:所述栅极包括第一透明电极和第一金属电极,所述像素电极包括第三透明电极,所述第一金属电极位于所述第一透明电极远离所述衬底基板的一侧,所述第一透明电极和所述第三透明电极位于同一层,所述栅绝缘层覆盖所述栅极,所述栅极与所述像素电极彼此绝缘;所述钝化层覆盖所述源极、所述漏极和所述像素电极,所述公共电极位于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧,所述公共电极和所述像素电极在彼此交叠的区域与所述栅绝缘层不相交叠;所述连接电极与所述漏极和所述像素电极电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马微电子有限公司,未经上海天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710191525.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top