[发明专利]阵列基板和阵列基板的制作方法有效
申请号: | 201710191525.1 | 申请日: | 2017-03-28 |
公开(公告)号: | CN107068691B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 莫英华;曹兆铿 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 | ||
本申请公开了一种阵列基板和阵列基板的制作方法。阵列基板包括设置在衬底基板上的栅极、像素电极、栅绝缘层、钝化层和公共电极;栅极包括第一透明电极和第一金属电极,像素电极包括第三透明电极,第一金属电极位于第一透明电极远离衬底基板的一侧,第一透明电极和第三透明电极位于同一层,栅绝缘层覆盖栅极,栅极与像素电极彼此绝缘;钝化层覆盖像素电极,公共电极位于钝化层远离衬底基板的一侧,公共电极和像素电极在彼此交叠的区域与栅绝缘层不相交叠;漏极与像素电极电连接。按照本申请的方案,通过设置公共电极和像素电极在交叠的区域与栅绝缘层不交叠,从而减少了两电极之间的绝缘层数量,增强了两电极之间的横向电场强度。
技术领域
本申请一般涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板和阵列基板的制作方法。
背景技术
液晶显示器是目前使用最广泛的一种平板显示器,可为各种电子设备如移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机以及计算机等提供具有高分辨率彩色屏幕。其中,FFS(Fringe Field Switching,边缘场开关技术)模式的液晶显示器以其观看视角广以及开口率高等特点受到广大用户的喜爱。
FFS模式的阵列基板一般可包括栅极、栅绝缘层、半导体层、源漏极、像素电极、公共电极和钝化层。为了降低制作成本,FFS阵列基板的制作方法已经从最初的7mask(光刻掩膜版)技术发展为目前的4mask技术,4个掩膜版分别用于:形成图案化的栅极和像素电极、形成图案化的栅绝缘层/半导体层/源漏极、形成图案化的钝化层以及形成图案化的公共电极。
在FFS阵列基板的制作过程中,发明人发现:现有的4mask技术虽然降低了生产成本,却增加了公共电极与像素电极之间的绝缘层的数量,例如,至少可包括栅绝缘层和钝化层等,从而使得公共电极与像素电极之间的横向电场强度变弱。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种阵列基板和阵列基板的制作方法,以期解决现有技术中存在的技术问题。
根据本申请的一个方面,提供了一种阵列基板,包括设置在衬底基板上的栅极、像素电极、栅绝缘层、半导体层、源极、漏极、钝化层、公共电极和连接电极。其中,栅极包括第一透明电极和第一金属电极,像素电极包括第三透明电极,第一金属电极位于第一透明电极远离衬底基板的一侧,第一透明电极和第三透明电极位于同一层,栅绝缘层覆盖栅极,栅极与像素电极彼此绝缘;钝化层覆盖源极、漏极和像素电极,公共电极位于钝化层远离衬底基板的一侧,公共电极和像素电极在彼此交叠的区域与栅绝缘层不相交叠;连接电极与漏极和像素电极电连接。
根据本申请的另一方面还提供了一种阵列基板的制作方法,包括:在衬底基板上依次沉积第一透明导电层、第一金属导电层和第一光刻胶层;使用第一掩膜版使第一透明导电层和第一金属导电层形成栅极和像素电极;在栅极和像素电极上依次沉积第一绝缘层、本征非晶硅层、掺杂非晶硅层、第二金属导电层和第二光刻胶层;使用第二掩膜版使第一绝缘层形成栅绝缘层,使本征非晶硅层和掺杂非晶硅层形成半导体层,使第二金属导电层形成源极和漏极;在源极、漏极和像素电极上依次沉积第二绝缘层和第三光刻胶层;使用第三掩膜版使第二绝缘层形成钝化层;在钝化层上依次沉积第二透明导电层和第四光刻胶层;以及使用第四掩膜版使第二透明导电层形成公共电极和连接电极,公共电极和像素电极在彼此交叠的区域与栅绝缘层不相交叠,连接电极与漏极和像素电极电连接。
本申请提供的阵列基板,通过设置公共电极和像素电极在彼此交叠的区域与栅绝缘层不相交叠,从而减少了公共电极与像素电极之间的绝缘层数量,增强了公共电极与像素电极之间的横向电场强度。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1示出了本申请第一实施例的阵列基板的示意图;
图2A~图2D示出了本申请第一实施例的阵列基板的制作工艺的俯视图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马微电子有限公司,未经上海天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710191525.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种阵列基板,阵列基板的像素电极充电方法和显示装置
- 下一篇:图像传感器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的