[发明专利]用于补偿半导体器件中衬底应力的效应的方法及相应器件有效
| 申请号： | 201710189437.8 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN107644844B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | G·斯希拉 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于补偿半导体器件中衬底应力的效应的方法及相应器件。一种半导体器件，该半导体器件包括具有第一部分和第二部分的衬底。耦合至该衬底的该第一部分的是能够提供第一应力信号的至少一个第一变形应力传感器，而耦合至该衬底的该第二部分的是能够提供第二应力信号的至少一个第二变形应力传感器。提供了一种处理电路，该处理电路耦合至该第一变形应力传感器和该第二变形应力传感器，并且被配置成用于：处理该第一应力信号和该第二应力信号，以便根据该第一应力信号和该第二应力信号产生补偿信号，并且将该补偿信号施加到该半导体电路生成的信号，以便对该生成的信号的由该半导体器件的该衬底中的应力引起的变化进行补偿。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 补偿 半导体器件 衬底 应力 效应 方法 相应 器件 | ||
【主权项】：
一种对半导体器件中生成的信号(V输出)的由所述半导体器件的衬底(S)中的应力引起的变化进行补偿的方法，所述方法包括：‑将至少一个第一变形应力传感器(R43)耦合至所述半导体器件的所述衬底(S)的第一部分(CC)，所述至少一个第一应力传感器(R43)提供第一应力信号(Va)，‑将至少一个第二变形应力传感器(R1，R2，R3)耦合至所述半导体器件的所述衬底(S)的第二部分(C)，所述至少一个第二应力传感器(R1，R2，R3)提供第二应力信号(Vb)，‑处理(12，100，101，102，200，300)所述第一应力信号(Va)和所述第二应力信号(Vb)，以便根据所述第一应力信号(Va)和所述第二应力信号(Vb)产生至少一个补偿信号(200，300)，以及‑根据所述至少一个补偿信号(200，300)对在所述半导体电路中生成的所述信号(V输出)的变化进行补偿(10a)。
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