[发明专利]用于补偿半导体器件中衬底应力的效应的方法及相应器件

权利要求书

1.一种对半导体器件中生成的信号（V_输出）的变化进行补偿的方法，所述变化由所述半导体器件的衬底（S）中的应力引起，所述方法包括：

- 将至少一个第一变形应力传感器（R43）耦合至所述半导体器件的所述衬底（S）的第一部分（CC），所述至少一个第一变形应力传感器（R43）提供第一应力信号（Va），

- 将至少一个第二变形应力传感器（R1，R2，R3）耦合至所述半导体器件的所述衬底（S）的第二部分（C），所述至少一个第二变形应力传感器（R1，R2，R3）提供第二应力信号（Vb），

- 处理（12，100，101，102，200，300）所述第一应力信号（Va）和所述第二应力信号（Vb），以便根据所述第一应力信号（Va）和所述第二应力信号（Vb）产生至少一个补偿信号（200，300），以及

- 根据所述至少一个补偿信号（200，300）对在所述半导体器件中生成的所述信号（V_输出）的变化进行补偿（10a），

其中在所述半导体器件中生成的所述信号包括发生器级的输出信号，所述发生器级被配置为接收所述第一应力信号和所述第二应力信号，并且进行补偿包括：在所述发生器级的输入端处施加所述至少一个补偿信号，以及

其中执行施加包括：将电流注入所述发生器级的所述输入端或从所述发生器级的所述输入端汲取电流。

2.如权利要求1所述的方法，包括：

- 将所述至少一个第二变形应力传感器（R1，R2，R3）与所述半导体器件的所述衬底（S）的位于所述衬底（S）的中心的部分（C）耦合，以及

- 将所述至少一个第一变形应力传感器（R43）与所述半导体器件的所述衬底（S）的相对于所述中心部分（C）位于外围的部分（CC）耦合。

3.一种半导体器件，所述半导体器件包括具有第一部分（CC）和第二部分（C）的衬底（S），所述半导体器件包括：

- 至少一个第一变形应力传感器（R43），所述至少一个第一变形应力传感器与所述半导体器件的所述衬底（S）的所述第一部分（CC）耦合，所述至少一个第一变形应力传感器（R43）提供第一应力信号（Va），

- 至少一个第二变形应力传感器（R1，R2，R3），所述至少一个第二变形应力传感器与所述半导体器件的所述衬底（S）的所述第二部分（C）耦合，所述至少一个第二变形应力传感器（R1，R2，R3）提供第二应力信号（Vb），

- 处理电路（12，100，101，102，200，300），所述处理电路与所述至少一个第一变形应力传感器（R43）和所述至少一个第二变形应力传感器（R1，R2，R3）耦合，并且被配置成用于：

- 处理所述第一应力信号（Va）和所述第二应力信号（Vb），并且根据所述第一应力信号（Va）和所述第二应力信号（Vb）产生至少一个补偿信号（200，300），

- 将所述至少一个补偿信号（200，300）施加到所述第一应力信号，以补偿由所述半导体器件的所述衬底（S）中的应力引起的变化，

其中所述处理电路包括发生器级（10），所述发生器级具有被配置为接收所述第一应力信号和所述至少一个补偿信号两者的第一输入端，所述发生器级在其输出端处生成输出信号，所述至少一个补偿信号从所述输出信号生成。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中，所述至少一个第一变形应力传感器（R43）和所述至少一个第二变形应力传感器（R1，R2，R3）耦合在惠斯通电桥安排中，以便提供指示所述衬底的所述变形的桥输出信号（Vb-Va）。

5.如权利要求3或4所述的半导体器件，其中：

- 所述衬底（S）的所述第二部分包括所述衬底的中心部分（C），并且

- 所述衬底（S）的所述第一部分（CC）包括所述衬底（S）的相对于所述中心部分（C）位于外围的部分。