[发明专利]半导体元件图案的形成方法在审
| 申请号： | 201710180930.3 | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN108630661A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 刘恩铨;童宇诚 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件图案的形成方法，包括：提供一基底材料层具有一第一区域和第二区域；设置多个第一芯轴于基底材料层上方并对应于第一区域；设置多个第二芯轴于基底材料层上方并对应于第二区域；形成第一侧壁间隔物于第一芯轴的侧壁，且形成第二侧壁间隔物于第二芯轴的侧壁，其中该些第一侧壁间隔物形成一第一图案，该些第二侧壁间隔物形成一第二图案，且位于相邻两第二芯轴之间的第二侧壁间隔物彼此相互融合；和转移包括该些第一侧壁间隔物的第一图案和该些第二侧壁间隔物的第二图案至基底材料层，以形成一图案化基底材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 间隔物 基底材料层 芯轴 第二侧壁 第一侧壁 图案 半导体元件图案 第二区域 第一区域 侧壁 图案化 融合 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件图案的形成方法，包括：提供一基底材料层具有一第一区域和第二区域；设置多个第一芯轴于该基底材料层上方并对应于该第一区域；设置多个第二芯轴于该基底材料层上方并对应于该第二区域；形成第一侧壁间隔物于该些第一芯轴的侧壁，且形成第二侧壁间隔物于该些第二芯轴的侧壁，其中该些第一侧壁间隔物形成一第一图案，该些第二侧壁间隔物形成一第二图案，且位于相邻两该些第二芯轴之间的该些第二侧壁间隔物彼此相互融合；和转移包括该些第一侧壁间隔物的该第一图案和该些第二侧壁间隔物的该第二图案至该基底材料层，以形成一图案化基底材料层。
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