[发明专利]半导体元件图案的形成方法

权利要求书

1.一种半导体元件图案的形成方法，包括：

提供一基底材料层具有一第一区域和第二区域；

设置多个第一芯轴于该基底材料层上方并对应于该第一区域；

设置多个第二芯轴于该基底材料层上方并对应于该第二区域；

形成第一侧壁间隔物于该些第一芯轴的侧壁，且形成第二侧壁间隔物于该些第二芯轴的侧壁，其中该些第一侧壁间隔物形成一第一图案，该些第二侧壁间隔物形成一第二图案，且位于相邻两该些第二芯轴之间的该些第二侧壁间隔物彼此相互融合；和

转移包括该些第一侧壁间隔物的该第一图案和该些第二侧壁间隔物的该第二图案至该基底材料层，以形成一图案化基底材料层。

2.如权利要求1所述的形成方法，还包括：

在转移该第一图案与该第二图案之前，先移除该些第一侧壁间隔物和该些第二侧壁间隔物。

3.如权利要求1所述的形成方法，其中该图案化基底材料层包括：

多个第一沟槽设置于该第一区域且对应于该第一图案；和

多个第二沟槽设置于该第二区域且对应于该第二图案。

4.如权利要求3所述的形成方法，其中各该些第二沟槽的宽度大于各该些第一沟槽的宽度。

5.如权利要求1所述的形成方法，其中于相邻两该些第一芯轴之间的一第一间隙大于相邻两该些第二芯轴之间的一第二间隙。

6.如权利要求5所述的形成方法，其中该第二间隙的宽度不超过该些第一侧壁间隔物之一者的两倍厚度。

7.如权利要求5所述的形成方法，其中该第二间隙的宽度等于该些第一侧壁间隔物之一者的厚度。

8.如权利要求1所述的形成方法，其中该些第一芯轴之一者具有一第一临界尺寸，该些第二芯轴之一者具有一第二临界尺寸，且该第一临界尺寸等于该第二临界尺寸。

9.如权利要求1所述的形成方法，其中该些第一芯轴之一者具有一第一临界尺寸，该些第二芯轴之一者具有一第二临界尺寸，且该第一临界尺寸小于该第二临界尺寸。

10.如权利要求1所述的形成方法，其中该些第一芯轴具有一第一分布密度，该些第二芯轴具有一第二分布密度，且该第一分布密度小于该第二分布密度。

11.如权利要求1所述的形成方法，其中该第二区域中的该图案化基底材料层包括至少：

第一区块，包括该些第二芯轴的第一群组；和

第二区块，与该第一区块相邻，该第二区块包括该些第二芯轴的第二群组；

其中位于相邻的该些第二芯轴的该第一群组与该些第二芯轴的该第二群组之间的该些第二侧壁间隔物彼此相互融合。

12.如权利要求11所述的形成方法，其中该些第二芯轴沿着一第一方向延伸，而该些第二芯轴的该第一群组与该些第二芯轴的该第二群组沿着一第二方向分布以分别在该第一区块与该第二区块中分布成两个芯轴行。

13.如权利要求12所述的形成方法，其中该些第二芯轴的该第一群组对齐于该些第二芯轴的该第二群组。

14.如权利要求1所述的形成方法，其中该些第二芯轴沿着一第一方向延伸，而该些第二芯轴的该第一群组与该些第二芯轴的该第二群组沿着一第二方向分布，其中该些第二芯轴之一包括多个小区段沿着该第一方向分布且该些小区段相互分隔开来。

15.如权利要求1所述的形成方法，还包括：

形成一空隙填充图案于相邻该些第一侧壁间隔物之间的空间；

在转移该第一图案与该第二图案之前，先移除该些第一侧壁间隔物和该些第二侧壁间隔物；和

以该空隙填充图案、该些第一芯轴和该些第二芯轴为一掩模而对该基底材料层进行蚀刻，以形成该图案化基底材料层。