[发明专利]半导体存储器件和制造其的方法有效
| 申请号： | 201710167017.X | 申请日： | 2017-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN107204351B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 成东俊;殷圣豪;朴淳五 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H10B63/10;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体存储器件及制造该半导体存储器件的方法，其中该半导体存储器件包括：第一导电线，其在衬底上在第一方向上延伸；第二导电线，其在第一导电线之上在第二方向上延伸，第一导电线和第二导电线在交叉点处彼此交叉；单元结构，其位于交叉点的每个处，单元结构的每个具有数据存储元件、选择元件和电极元件，选择元件用于将单元选择信号施加于数据存储元件并改变数据存储元件的数据状态，电极元件至少具有一电极，该电极具有一表面，该表面与比选择元件的一表面接触且小于选择元件的该表面；以及绝缘图案，其使第一导电线和第二导电线和单元结构彼此绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：第一导电线，其在衬底上在第一方向上延伸；第二导电线，其在所述第一导电线之上在第二方向上延伸，所述第一导电线和所述第二导电线在交叉点处彼此交叉；单元结构，其位于所述交叉点的每个处，所述单元结构的每个具有数据存储元件、选择元件和电极元件，所述选择元件用于将单元选择信号施加于所述数据存储元件并用于改变所述数据存储元件的数据状态，所述电极元件至少具有一电极，该电极具有一表面，该表面与所述选择元件的一表面接触且小于所述选择元件的该表面；以及绝缘图案，其使所述第一导电线和所述第二导电线和所述单元结构彼此绝缘。
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