[发明专利]半导体存储器件和制造其的方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

第一导电线，其在衬底上在第一方向上延伸；

第二导电线，其在所述第一导电线之上在第二方向上延伸，所述第一导电线和所述第二导电线在第一交叉点处彼此交叉，所述第二导电线具有第一组成线和第二组成线；

第三导电线，其在所述第二导电线之上在所述第一方向上延伸，所述第二导电线和所述第三导电线在第二交叉点处彼此交叉，

第一单元结构，其位于所述第一交叉点的每个处，所述第一单元结构的每个具有第一数据存储元件、第一选择元件和电极元件，所述第一选择元件用于将单元选择信号施加于所述第一数据存储元件并用于改变所述第一数据存储元件的数据状态，所述电极元件至少具有一电极，该电极具有一表面，该表面与所述第一选择元件的一表面接触且小于所述选择元件的该表面；

第二单元结构，其位于所述第二交叉点的每个处，所述第二单元结构的每个具有第二数据存储元件和第二选择元件，所述第二选择元件用于将单元选择信号施加于所述第二数据存储元件并用于改变所述第二数据存储元件的数据状态；以及

绝缘图案，其使所述第一导电线和所述第二导电线和所述第一单元结构彼此绝缘，

其中所述第一组成线和所述第二组成线在垂直于所述衬底的所述上表面的垂直方向上顺序堆叠在所述第一单元结构上，所述第二组成线具有比所述第一组成线的宽度大的宽度。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述电极元件包括：

第一电极，其用于产生热并用于与所述第一导电线和所述第二导电线中的一条接触；

第二电极，其在所述选择元件与所述数据存储元件之间；以及

第三电极，其与所述第一导电线和所述第二导电线中的另一条接触，所述第一电极具有一表面，该表面与所述选择元件的所述表面接触且小于所述选择元件的所述表面。

3.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中所述选择元件包括双向阈值开关，以及所述数据存储元件包括相变材料。

4.如权利要求3所述的半导体存储器件，其中：

所述第一电极、所述选择元件、所述第二电极、所述数据存储元件和所述第三电极以梯形形状顺序地堆叠在所述第一导电线上，以及

所述单元结构包括单元凹陷，该单元凹陷由所述第一电极的侧表面、所述选择元件的下表面和所述第一导电线的上表面限定并用所述绝缘图案填充。

5.如权利要求3所述的半导体存储器件，其中：

所述第一电极与所述第二电极交换，使得所述第二电极、所述选择元件、所述第一电极、所述数据存储元件和所述第三电极以梯形形状顺序地堆叠在所述第一导电线上，以及

所述单元结构包括单元凹陷，该单元凹陷由所述第一电极的侧表面、所述选择元件的上表面和所述数据存储元件的下表面限定并用所述绝缘图案填充。