[发明专利]图像传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201710160016.2 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN108538868B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 钟志平;彭志豪;何明祐 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种图像传感器及其制作方法，该图像传感器包括一基底、一感光元件、一深沟槽隔离结构以及一隔离元件。感光元件设置于基底表面。深沟槽隔离结构设置于感光元件的一侧。隔离元件设置于基底内并位于感光元件及深沟槽隔离结构下，且隔离元件与感光元件在垂直于基底表面的方向上部分重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，包括：基底；感光元件，设置于该基底表面；深沟槽隔离结构，设置于该感光元件的一侧；以及隔离元件，设置于该基底内并位于该感光元件及该深沟槽隔离结构下，且该隔离元件与该感光元件在垂直于该基底表面的方向上部分重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
