[发明专利]图像传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种图像传感器的制作方法，包括：

提供一半导体基底，并于该半导体基底的局部区域内形成一隔离元件；

在该半导体基底上形成一外延层；

在该外延层中形成一深沟槽隔离结构，其中该深沟槽隔离结构对应该隔离元件的一端；以及

在该外延层表面形成一感光元件，其中该感光元件位于该深沟槽隔离结构的一侧，且该隔离元件与该感光元件在垂直于该半导体基底表面的方向上部分重叠，

其中形成该深沟槽隔离结构的制作工艺包括：

进行一第一蚀刻制作工艺，以于该外延层中预定设置该深沟槽隔离结构的位置形成一浅沟槽；

对该浅沟槽进行一第二蚀刻制作工艺以形成一深沟槽，其中该深沟槽贯穿该外延层并暴露该隔离元件的顶部；

对该隔离元件进行一第三蚀刻制作工艺，以使该隔离元件形成一空腔；以及

在该深沟槽中填入一隔离材料以形成该深沟槽隔离结构，其中在该深沟槽填入该隔离材料的制作工艺中于该深沟槽隔离结构内形成一空洞，并且该空洞与该隔离元件的空腔互相连通。

2.如权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其中该隔离元件自该深沟槽隔离结构往该感光元件横向延伸，且该深沟槽隔离结构与该隔离元件的剖面具有一L形形状。

3.如权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其中形成该隔离元件的制作工艺包括：

进行一离子注入制作工艺，以于该半导体基底的局部区域内形成一注入区；以及

进行一退火制作工艺，以使该注入区形成该隔离元件。

4.如权利要求3所述的图像传感器的制作方法，其中该离子注入制作工艺包括对该半导体基底进行氧离子注入，且该退火制作工艺使该注入区转换成一局部埋入式氧化物层，以形成该隔离元件。

5.如权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其中该隔离材料包括折射率低于该外延层与该半导体基底的材料。

6.如权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其中该空腔与该空洞内的折射介质为空气。

7.如权利要求1所述的图像传感器的制作方法，还包括：

在该外延层表面形成一内连线结构与一介电叠层，其中该内连线结构设置于该介电叠层中；

在该感光元件上的该介电叠层中形成一光导管；以及

依序于该光导管上形成一彩色滤光层与一微聚光镜。