[发明专利]一种金属叠层填沟槽阵列的碳化硅衬底结构在审
| 申请号： | 201710157509.0 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN106952876A | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 王珩宇;盛况 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属叠层填沟槽阵列的碳化硅衬底结构。包括碳化硅衬底、设置在碳化硅衬底底面的沟槽阵列以及设置在碳化硅衬底底面并覆盖沟槽阵列的金属叠层；金属叠层包括覆盖在衬底底面和沟槽阵列底面的第一层金属、填满沟槽阵列并且下表面为平整平面的第二层金属以及上表面与第二层金属底面相连并且下表面是平整平面的第三层金属。本发明减少了衬底层电阻且能与普通工艺线相兼容，保持了完整衬底厚度，降低了发生碎片几率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 叠层填 沟槽 阵列 碳化硅 衬底 结构 | ||
【主权项】：
一种金属叠层填沟槽阵列的碳化硅衬底结构，其特征在于：包括碳化硅衬底(1)，包括衬底顶面(P1)和衬底底面(P2)；包括设置在碳化硅衬底(1)底面的沟槽阵列(2)；包括设置在碳化硅衬底(1)底面并覆盖沟槽阵列(2)的金属叠层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710157509.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：智能可调整压制上模具
- 下一篇：一种压力机试验平台高度调节装置
