[发明专利]阵列基板及其制造方法、驱动晶体管、显示面板有效
申请号: | 201710142461.6 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN108598040B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 徐文清;刘明悬;王静;张小祥;郭会斌 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/32;H01L29/786;H01L21/336 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请公开了一种阵列基板及其制造方法、驱动晶体管、显示面板,属于显示技术领域。阵列基板包括像素电路和有机发光二极管,像素电路包括:驱动晶体管和开关晶体管,驱动晶体管包括第一有源介质,开关晶体管包括第二有源介质,第一有源介质和第二有源介质均为多晶硅,且第一有源介质的晶粒尺寸小于第二有源介质的晶粒尺寸。本申请解决了OLED显示面板的显示效果较差的问题,提高了OLED显示面板的显示效果,本申请用于显示面板。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 驱动 晶体管 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括像素电路和有机发光二极管,所述像素电路包括:驱动晶体管和开关晶体管,所述驱动晶体管包括第一有源介质,所述开关晶体管包括第二有源介质,所述第一有源介质和所述第二有源介质均为多晶硅,且所述第一有源介质的晶粒尺寸小于所述第二有源介质的晶粒尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造