[发明专利]阵列基板及其制造方法、驱动晶体管、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括像素电路和有机发光二极管，所述像素电路包括：驱动晶体管和开关晶体管，

所述驱动晶体管包括第一有源介质、第一栅极、第一源漏极和第一栅绝缘块，所述开关晶体管包括第二有源介质、第二栅极、第二源漏极和第二栅绝缘块，所述第一有源介质和所述第二有源介质均为多晶硅，且所述第一有源介质的晶粒尺寸小于所述第二有源介质的晶粒尺寸，所述第一栅绝缘块的厚度大于所述第二栅绝缘块的厚度，所述多晶硅为低温多晶硅；

所述第一有源介质和所述第二有源介质均为非晶硅经过激光退火形成，且在所述非晶硅激光退火时，所述非晶硅上覆盖有栅极绝缘层，且所述栅极绝缘层与所述第一有源介质对应的位置上设置有非晶硅的预设图案。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：衬底基板；

所述衬底基板上设置有缓冲层；

设置有所述缓冲层的衬底基板上设置有所述像素电路。

3.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

制造像素电路；

制造有机发光二极管，所述有机发光二极管与所述像素电路相连接；

其中，所述像素电路包括：驱动晶体管和开关晶体管，所述驱动晶体管包括第一有源介质、第一栅极、第一源漏极和第一栅绝缘块，所述开关晶体管包括第二有源介质、第二栅极、第二源漏极和第二栅绝缘块，所述第一有源介质和所述第二有源介质均为多晶硅，且所述第一有源介质的晶粒尺寸小于所述第二有源介质的晶粒尺寸，所述第一栅绝缘块的厚度大于所述第二栅绝缘块的厚度，所述多晶硅为低温多晶硅；所述第一有源介质和所述第二有源介质均为非晶硅经过激光退火形成，且在所述非晶硅激光退火时，所述非晶硅上覆盖有栅极绝缘层，且所述栅极绝缘层与所述第一有源介质对应的位置上设置有非晶硅的预设图案。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述制造像素电路，包括：

在衬底基板上形成非晶硅层；

在形成有所述非晶硅层的衬底基板上形成栅绝缘层；

在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成预设图案，所述预设图案在所述衬底基板上的正投影区域为预设区域，所述预设图案对激光的吸收率大于零；

对形成有所述预设图案的衬底基板进行激光退火，使得所述非晶硅层变为多晶硅层；

去除所述预设图案；

对去除所述预设图案后的衬底基板进行处理，得到所述驱动晶体管和所述开关晶体管；

其中，所述驱动晶体管的第一有源介质和所述开关晶体管的第二有源介质均位于所述多晶硅层，且所述第一有源介质在所述衬底基板上的正投影位于所述预设区域内，所述第二有源介质在所述衬底基板上的正投影位于所述预设区域外。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对去除所述预设图案后的衬底基板进行处理，得到所述驱动晶体管和所述开关晶体管，包括：

对去除所述预设图案后的衬底基板进行图案化处理，得到多晶硅图案和栅绝缘图案，所述多晶硅图案包括所述第一有源介质和所述第二有源介质，所述栅绝缘图案包括：叠加在所述第一有源介质上的第一栅绝缘块，以及叠加在所述第二有源介质上的第二栅绝缘块；

在形成有所述栅绝缘图案的衬底基板上形成栅极图案，所述栅极图案包括：叠加在所述第一栅绝缘块上的第一栅极，以及叠加在所述第二栅绝缘块上的第二栅极；

在形成有所述栅极图案的衬底基板上形成层间绝缘层；

在形成有所述层间绝缘层的衬底基板上形成源漏极图案，所述源漏极图案包括第一源漏极和第二源漏极，所述第一源漏极与所述第一有源介质相连接，所述第二源漏极与所述第二有源介质相连接。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，预设刻蚀液能够分别刻蚀所述预设图案和所述栅绝缘层，所述去除所述预设图案，包括：

采用所述预设刻蚀液对激光退火后的衬底基板进行刻蚀，去除所述预设图案，并减薄所述栅绝缘层中未覆盖有所述预设图案的区域。