[发明专利]阵列基板及其制造方法、驱动晶体管、显示面板有效
申请号: | 201710142461.6 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN108598040B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 徐文清;刘明悬;王静;张小祥;郭会斌 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/32;H01L29/786;H01L21/336 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 驱动 晶体管 显示 面板 | ||
本申请公开了一种阵列基板及其制造方法、驱动晶体管、显示面板,属于显示技术领域。阵列基板包括像素电路和有机发光二极管,像素电路包括:驱动晶体管和开关晶体管,驱动晶体管包括第一有源介质,开关晶体管包括第二有源介质,第一有源介质和第二有源介质均为多晶硅,且第一有源介质的晶粒尺寸小于第二有源介质的晶粒尺寸。本申请解决了OLED显示面板的显示效果较差的问题,提高了OLED显示面板的显示效果,本申请用于显示面板。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及其制造方法、驱动晶体管、显示面板。
背景技术
有机发光二极管(英文:Organic Light-Emitting Diode;简称:OLED)显示面板包括阵列基板。阵列基板包括:衬底基板,衬底基板上设置有多个阵列排布的像素区域,每个像素区域内设置有一个OLED和一个像素电路,该像素电路用于控制该OLED发光。
在一个像素区域内,像素电路可以包括开关晶体管和驱动晶体管,驱动晶体管和开关晶体管均为多晶硅晶体管。开关晶体管的源极和栅极均与控制集成电路(英文:Integrated Circuit;简称:IC)相连接,开关晶体管的漏极与驱动晶体管的栅极相连,驱动晶体管的源极和漏极分别与控制IC和OLED串联。当需要控制该像素区域内的OLED发光时,控制IC可以首先向开关晶体管的栅极输入第一导通电压将开关晶体管导通,并向开关晶体管的源极输入第二导通电压,使得第二导通电压从开关晶体管的漏极输入至驱动晶体管的栅极,将驱动晶体管导通。然后,控制IC可以向驱动晶体管的源极输入驱动电压,驱动晶体管能够根据该驱动电压向OLED输入驱动电流,使得OLED在驱动电流的作用下发光。需要说明的是,驱动晶体管对驱动电压进行处理得到的驱动电流与该驱动晶体管的阈值电压相关,也即,当两个驱动晶体管的阈值电压不同时,两个驱动晶体管对驱动电压处理得到的驱动电流不同。
由于多晶硅晶体管的阈值电压与多晶硅晶体管中有源介质(多晶硅)的晶粒尺寸的均一度正相关,且衬底基板上的多个驱动晶体管中多晶硅薄膜的晶粒尺寸不同,各个像素区域的OLED上的驱动电流不同,因此,各个像素区域发出的光的亮度不同,OLED显示面板的显示效果较差。
发明内容
为了解决OLED显示面板的显示效果较差的问题,本申请提供了一种阵列基板及其制造方法、驱动晶体管、显示面板。所述技术方案如下:
第一方面,提供了一种阵列基板,所述阵列基板包括像素电路和有机发光二极管,所述像素电路包括:驱动晶体管和开关晶体管,
所述驱动晶体管包括第一有源介质,所述开关晶体管包括第二有源介质,所述第一有源介质和所述第二有源介质均为多晶硅,且所述第一有源介质的晶粒尺寸小于所述第二有源介质的晶粒尺寸。
可选的,所述驱动晶体管还包括:第一栅极、第一源漏极和第一栅绝缘块,所述开关晶体管还包括:第二栅极、第二源漏极和第二栅绝缘块,
所述第一栅绝缘块的厚度大于所述第二栅绝缘块的厚度。
可选的,所述阵列基板还包括:衬底基板;
所述衬底基板上设置有缓冲层;
设置有所述缓冲层的衬底基板上设置有所述像素电路。
第二方面,提供了一种阵列基板的制造方法,所述方法包括:
制造像素电路;
制造有机发光二极管,所述有机发光二极管与所述像素电路相连接;
其中,所述像素电路包括:驱动晶体管和开关晶体管,所述驱动晶体管包括第一有源介质,所述开关晶体管包括第二有源介质,所述第一有源介质和所述第二有源介质均为多晶硅,且所述第一有源介质的晶粒尺寸小于所述第二有源介质的晶粒尺寸。
可选的,所述制造像素电路,包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造