[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710117505.X | 申请日： | 2017-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN107146813B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 藤井秀纪 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 得到一种能够实现高可靠性的半导体装置。在主单元区域，在半导体衬底(1)的主面形成有第1扩散区域(2)，在终端区域，在主面形成有第2扩散区域(3)。绝缘膜(5、6)形成于半导体衬底(1)的主面之上，在第1及第2扩散区域(2、3)之上分别具有第1及第2接触孔(7、8)。相同材质的第1及第2电极(9、10)分别形成于第1及第2接触孔(7、8)内。半绝缘性膜(11)将第2电极(10)覆盖。第1电极(9)不将第1接触孔(7)完全填埋。第2电极(10)将第2接触孔(8)完全填埋。第3电极(14)形成于第1电极(9)之上，将第1接触孔(7)完全填埋。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体衬底，其具有主面；第1扩散区域，其在主单元区域形成于所述主面；第2扩散区域，其在所述主单元区域的外侧的终端区域形成于所述主面；绝缘膜，其形成于所述主面之上，在所述第1及第2扩散区域之上分别具有第1及第2接触孔；第1电极，其形成于所述第1接触孔内，与所述第1扩散区域连接；第2电极，其形成于所述第2接触孔内，与所述第2扩散区域连接；半绝缘性膜，其将所述第2电极覆盖；以及第3电极，其形成于所述第1电极之上，第1及第2电极是相同的材质，所述第1电极不将所述第1接触孔完全填埋，所述第2电极将所述第2接触孔完全填埋，所述第3电极将所述第1接触孔完全填埋。
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