[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710117505.X | 申请日： | 2017-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN107146813B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 藤井秀纪 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
半导体衬底，其具有主面；
第1扩散区域，其在主单元区域形成于所述主面；
第2扩散区域，其在所述主单元区域的外侧的终端区域形成于所述主面；
第1绝缘膜，其形成于所述主面之上，在所述第1及第2扩散区域之上分别具有第1及第2接触孔；
第1电极，其形成于所述第1接触孔内，与所述第1扩散区域连接；
第2电极，其形成于所述第2接触孔内，与所述第2扩散区域连接；
半绝缘性膜，其将所述第2电极覆盖；
第2绝缘膜，其形成于所述半绝缘性膜之上；
聚酰亚胺，其将所述第2绝缘膜覆盖；以及
第3电极，其形成于所述第1电极之上，
第1及第2电极是相同的材质，
所述第1接触孔处的所述第1电极的厚度比所述第1接触孔的深度小，
所述第1接触孔处的所述第1电极的厚度以及所述第3电极的厚度的合计值比所述第1接触孔的深度大，
所述第2接触孔处的所述第2电极的厚度比所述第2接触孔的深度大。
2.一种半导体装置，其特征在于，具有：
半导体衬底，其具有主面；
第1扩散区域，其在主单元区域形成于所述主面；
第2扩散区域，其在所述主单元区域的外侧的终端区域形成于所述主面；
第1绝缘膜，其形成于所述主面之上，在所述第1及第2扩散区域之上分别具有第1及第2接触孔；
第1电极，其形成于所述第1接触孔内，与所述第1扩散区域连接；
第2电极，其形成于所述第2接触孔内，与所述第2扩散区域连接；
半绝缘性膜，其将所述第2电极覆盖；
第2绝缘膜，其形成于所述半绝缘性膜之上；
聚酰亚胺，其将所述第2绝缘膜覆盖；以及
第3电极，其形成于所述第1电极之上，
第1及第2电极是相同的材质，
所述第1接触孔处的所述第1电极的厚度比所述第1接触孔的深度小，
所述第1接触孔处的所述第1电极的厚度以及所述第3电极的厚度的合计值比所述第1接触孔的深度大，
所述第2接触孔处的所述第2电极的厚度比所述第2接触孔的深度小，
所述第2接触孔处的所述第2电极的厚度以及所述半绝缘性膜的厚度的合计值比所述第1接触孔的深度大。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1及第2电极具有Al类电极。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1及第2电极还具有在所述Al类电极之下形成的阻挡金属。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1及第2电极是阻挡金属。
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