[发明专利]阵列基板及其制造方法和有机发光显示器有效
申请号: | 201710113946.2 | 申请日: | 2017-02-28 |
公开(公告)号: | CN106910763B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 陈航 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种阵列基板及其制造方法和有机发光显示器,其中,所述阵列基板的制造方法包括:提供一衬底;在所述衬底上依次形成第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层和第二金属层;在所述第二金属层以及未被所述第二金属层覆盖的第二绝缘层上形成一绝缘膜;去除所述第二金属层的顶面以及部分侧壁上的绝缘膜,以形成第三绝缘层,所述第三绝缘层位于所述第二金属层的两侧并覆盖所述第二绝缘层;以及在所述第二金属层和第三绝缘层上依次形成第四绝缘层和第三金属层。在本发明提供的阵列基板及其制造方法和有机发光显示器中,通过在第二金属层周围增设第三绝缘层,有效降低因金属坡度角大而导致上层金属与下层金属之间短路的风险,提高了产品良率。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 有机 发光 显示器 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:提供一衬底;在所述衬底上依次形成第一绝缘层、图形化的第一金属层、第二绝缘层和图形化的第二金属层,所述第二绝缘层为整面成膜,所述第二绝缘层在所述第一金属层处形成台阶;在所述第二金属层以及未被所述第二金属层覆盖的第二绝缘层上形成一绝缘膜;去除所述第二金属层的顶面以及部分侧壁上的绝缘膜,以形成第三绝缘层,所述第三绝缘层位于所述第二金属层的两侧并覆盖所述第二绝缘层以及所述第二金属层部分侧壁;以及在所述第二金属层和第三绝缘层上依次形成第四绝缘层和第三金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的