[发明专利]阵列基板及其制造方法和有机发光显示器有效
申请号: | 201710113946.2 | 申请日: | 2017-02-28 |
公开(公告)号: | CN106910763B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 陈航 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 有机 发光 显示器 | ||
本发明提供了一种阵列基板及其制造方法和有机发光显示器,其中,所述阵列基板的制造方法包括:提供一衬底;在所述衬底上依次形成第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层和第二金属层;在所述第二金属层以及未被所述第二金属层覆盖的第二绝缘层上形成一绝缘膜;去除所述第二金属层的顶面以及部分侧壁上的绝缘膜,以形成第三绝缘层,所述第三绝缘层位于所述第二金属层的两侧并覆盖所述第二绝缘层;以及在所述第二金属层和第三绝缘层上依次形成第四绝缘层和第三金属层。在本发明提供的阵列基板及其制造方法和有机发光显示器中,通过在第二金属层周围增设第三绝缘层,有效降低因金属坡度角大而导致上层金属与下层金属之间短路的风险,提高了产品良率。
技术领域
本发明涉及平板显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及其制造方法和有机发光显示器。
背景技术
近年来,随着信息技术、无线移动通讯和信息家电的快速发展与应用,人们对电子产品的依赖性与日俱增,更带来各种显示技术及显示装置的蓬勃发展。平板显示装置具有完全平面化、轻、薄、省电等特点,因此得到了广泛的应用。
其中,有机发光显示器是一种利用有机发光二极管(英文全称Organic LightingEmitting Diode,简称OLED)显示图像的平板显示装置,是一种主动发光的显示器,其显示方式与传统的薄膜晶体管液晶显示器(英文全称Thin Film Transistor liquid crystaldisplay,简称TFT-LCD)显示方式不同,无需背光灯,而且,具有对比度高、响应速度快、视角广、轻薄等诸多优点。因此,有机发光显示器被誉为可以取代薄膜晶体管液晶显示器的新一代的显示器。
有机发光显示器的阵列基板通常包括薄膜晶体管阵列、有机发光器件以及连接所述薄膜晶体管阵列和有机发光器件的金属布线。为了满足市场对像素分辨率(PPI)的要求,制作金属布线时一般需要做3层甚至更多层金属,以降低同层金属短路的风险。
然而,在实际的制造过程中发现,由于金属层的膜层往往较厚、金属坡度角较大,导致下层金属层上面的各个膜层在所述下层金属层的台阶处出现裂纹,暴露出所述下层金属层。因此,在形成上层金属层时,所述上层金属层与所述下层金属层之间容易短路,使得产品的良率降低。
基此,如何解决现有的有机发光显示器由于金属布线的上下层金属之间容易短路,导致良率下降的问题,成了本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制造方法和有机发光显示器,以解决现有的有机发光显示器由于金属布线的不同层金属之间容易短路,导致良率下降的问题。
为解决上述问题,本发明提供一种阵列基板的制造方法,所述阵列基板的制造方法包括:
提供一衬底;
在所述衬底上依次形成第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层和第二金属层;
在所述第二金属层以及未被所述第二金属层覆盖的第二绝缘层上形成一绝缘膜;
去除所述第二金属层的顶面以及部分侧壁上的绝缘膜,以形成第三绝缘层,所述第三绝缘层位于所述第二金属层的两侧并覆盖所述第二绝缘层;以及
在所述第二金属层和第三绝缘层上依次形成第四绝缘层和第三金属层。
可选的,在所述的阵列基板的制造方法中,所述第三绝缘层采用的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的任意一种或其任意组合。
可选的,在所述的阵列基板的制造方法中,在所述衬底上依次形成第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层和第二金属层之前,还包括:在所述衬底上依次形成缓冲层和有源层。
可选的,在所述的阵列基板的制造方法中,在所述第二金属层和第三绝缘层上依次形成第四绝缘层和第三金属层之后,还包括:在所述第三金属层和第四绝缘层上形成平坦化层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的