[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201710107383.6 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN107204360A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 田中裕之;大井幸多;小野泽勇一;伊仓巧裕;杉村和俊 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 孙昌浩,李盛泉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供容易微细加工的保护环部。还提供一种半导体装置，具备半导体基板；有源区，其形成于半导体基板；以及保护环部，其在半导体基板形成于有源区的外侧，保护环部具有保护环，其呈环状地形成在半导体基板的上表面；层间绝缘膜，其形成于保护环的上方；场板，其沿着保护环在层间绝缘膜的上方形成为环状；以及钨插塞，其沿着保护环形成为环状，贯穿层间绝缘膜而将保护环与场板连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；有源区，其形成于所述半导体基板；以及保护环部，其在所述半导体基板形成于所述有源区的外侧，所述保护环部具有：保护环，其呈环状地形成在所述半导体基板的上表面；层间绝缘膜，其形成于所述保护环的上方；场板，其沿着所述保护环在所述层间绝缘膜的上方形成为环状；以及钨插塞，其沿着所述保护环形成为环状，贯穿所述层间绝缘膜而将所述保护环与所述场板连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710107383.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种液化天然气运输用可调式缓冲支架
- 下一篇：综采摆放轨道专用工具
- 同类专利
- 专利分类
