[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，已知在半导体元件的外周部设有保护环结构的装置(例如，专利文献1)。由此，提高关断时的耐压性。

专利文献1：日本特开2010-267655号公报

发明内容

提供一种微细加工容易的保护环结构。

在本发明的第一方式中，提供一种半导体装置。半导体装置可以具备半导体基板。半导体装置可以具备形成于半导体基板的有源区。半导体装置可以具备在半导体基板形成于有源区的外侧的保护环部。保护环部可以具有形成于半导体基板的上表面的保护环。保护环可以形成为环状。保护环部可以具有形成于保护环的上方的层间绝缘膜。保护环部可以具有形成于层间绝缘膜的上方的场板。场板可以沿着保护环形成为环状。保护环部可以具有贯穿层间绝缘膜而将保护环与场板连接的钨插塞。钨插塞沿着保护环可以形成为环状。

场板可以由钨形成。在对应的保护环和场板之间可以形成有多根环状的钨插塞。保护环部可以具有将相邻的2个钨插塞连接的连接插塞。在多根环状的钨插塞中，相邻的2个钨插塞之间的距离可以比1个钨插塞的宽度大。

半导体装置可以具备设置于有源区的上方的元件电极。元件电极可以由含有铝的材料形成。半导体装置可以具备形成在元件电极上的镀层。半导体装置可以具备形成在镀层上的保护膜。保护膜可以使镀层的一部分区域露出。

半导体装置可以具备形成于有源区的半导体元件部。半导体装置可以具备以在半导体元件部和保护环部之间贯穿层间绝缘膜的方式设置的空穴吸引插塞。空穴吸引插塞可以由钨形成。

半导体装置可以具备设置于有源区的上方的元件电极。场板可以由与元件电极相同的材料形成。

在本发明的第二方式中，提供一种半导体装置的制造方法。制造方法可以包括将保护环呈环状地形成在半导体基板的上表面的保护环形成步骤。制造方法可以包括在保护环的上方形成层间绝缘膜的绝缘膜形成步骤。制造方法可以包括形成沿着保护环设置成环状且贯穿层间绝缘膜的钨插塞的步骤。制造方法可以包括形成沿着保护环在层间绝缘膜的上方设置成环状且与钨插塞连接的场板的场板形成步骤。

制造方法可以包括在半导体基板的上表面，在被保护环包围的有源区形成元件电极的元件电极形成步骤。元件电极可以由含有铝的材料形成。制造方法可以包括在元件电极形成步骤和场板形成步骤之后对半导体基板的上表面侧进行镀覆而在元件电极上形成镀层的镀覆步骤。制造方法可以包括在半导体基板的上表面侧形成保护膜的保护膜形成步骤。

应予说明，上述的发明内容未列举本发明的所有特征。另外，这些特征群的子组合也能够成为发明。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式的半导体装置100的概要的俯视图。

图2是表示半导体装置100的截面的一个例子的图。

图3是表示半导体装置100的另一结构例的截面图。

图4是钨插塞56附近的放大截面图。

图5是表示半导体基板10的上表面的钨插塞56的形状例的图。

图6A是表示半导体装置100的截面的另一例的图。

图6B是表示图6A中示出的半导体装置100的上表面的一个例子的图。

图7是放大了发射极20的附近而得到的截面图。

图8A是放大了发射极20的附近的另一例而得到的截面图。

图8B是将图8A的导线42更换成引线框43的例子。

图9是表示半导体装置100的制造方法的一个例子的图。

符号说明

10：半导体基板

11：有源区

12：层间绝缘膜

13：半导体元件部

14：栅极结构

16：漂移区

17：蓄积区

18：基极区

19：阱区

20：发射极电极

21：衬垫

22：发射极区

24：集电极区

26：集电极电极

30：连接部

32：基底电极

34：空穴吸引插塞

35：连接插塞

36：镀层

38：保护膜

40：焊料部

42：导线

43：引线框

44：三重点

50：保护环部

52：场板

54：保护环

56：钨插塞

58：连接插塞