[发明专利]一种柔性CIGS多晶薄膜太阳电池在审

申请号：	201710091577.1	申请日：	2017-02-20
公开（公告）号：	CN106981532A	公开（公告）日：	2017-07-25
发明（设计）人：	李辉;屈飞;古宏伟;王文静	申请（专利权）人：	中国科学院电工研究所
主分类号：	H01L31/0368	分类号：	H01L31/0368;H01L31/0392;H01L31/0749;H01L31/18;H01L21/02
代理公司：	北京科迪生专利代理有限责任公司11251	代理人：	关玲
地址：	100190 ***	国省代码：	北京;11
权利要求书：	暂无信息	说明书：	暂无信息
摘要：	一种柔性CIGS多晶薄膜太阳电池，其结构中各层依次为柔性云母衬底、金属Mo电极、CIGS光学吸收层、窗口层、高阻层、透明导电氧化物层；也可以为柔性云母衬底、透明导电氧化物层、高阻层、窗口层、CIGS光学吸收层、Mo背接触层、金属导电层或者透明导电氧化物层。本发明的光学吸收层可以通过高温共蒸发也可以通过低温磁控溅射后硒化工艺制备，能与目前玻璃衬底上的刚性CIGS多晶薄膜太阳电池制备工艺兼容。本发明还可以制备成双面透光的柔性CIGS多晶薄膜太阳电池。
搜索关键词：	一种柔性 cigs 多晶薄膜太阳电池
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【主权项】：

一种柔性CIGS多晶薄膜太阳电池，其特征在于：所述的柔性CIGS多晶薄膜太阳电池采用上衬底结构；所述上衬底结构的柔性CIGS多晶薄膜太阳电池的结构如下：云母衬底上为透明导电氧化物薄膜层，透明导电氧化物薄膜层上为高阻层、高阻层为窗口层，窗口层上为CIGS吸收层，CIGS吸收层上为含碱金属的材料层，含碱金属的材料层上为金属Mo背接触层，金属Mo背接触层上为导电的透明氧化物多晶薄膜氧化物或者金属层。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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